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作模式可抑制输入电压的变化(提供优良的线电压调节)、峰值电流控制模式允许转换器调节led电流，而无需复杂的补偿(简化设计)、很容易实现线性和pwm led亮度调节、开关晶体管失效不
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134170.html2011/2/20 23:17:00
而phase_green和phase_blue则很低。因此，晶体管q6接通，来让电流流过红光led串；晶体管q3接通，来让电流流过el7900光传感器的输出回路（它的电流输出iout跟红光le
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134162.html2011/2/20 23:13:00
面。其基本特点为： ● 具有８通道功率ｄｍｏｓ晶体管输出，每个通道可连续输出１５０ｍａ的电流；● 各输出回路导通电阻低至５ω；● 每个输出通道典型限定能力为５００ｍａ；● 输出端
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134158.html2011/2/20 23:10:00
GaN 基材料在光电器件中的应用，得到了越来越多人的关注。由于近来 GaN 基发光二极管的亮度取得了很大的提高，使得 GaN 基发光二极管在很多领域都取得了应用，例如交通信号灯
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134153.html2011/2/20 23:08:00
r lift-off）及金属黏合技术（metal bonding），将led磊晶晶圆从gaas或GaN长晶基板移走，并黏合到另一金属基板上或其它具有高反射性及高热传导性的物质上面，帮助大功
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134146.html2011/2/20 23:06:00
胶的选择 根据折射定律，光线从光密介质入射到光疏介质时，当入射角达到一定值，即大于等于临界角时，会发生全发射。以GaN蓝色芯片来说，GaN材料的折射率是2.3，当光线从晶体内部射
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134134.html2011/2/20 23:01:00
z左右。根据模拟比较器的输出结果(acmp)，mcu在闭环中调整pwm的占空周期，以保证hbled驱动电流为恒定。由于p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)被用来作为功
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134129.html2011/2/20 22:59:00
面下手，此层面的作法相当多，依据不同的化合材料也有不同，目前hb led较常使用的两种化合材料是algainp及GaN/inGaN，前者用来产生高亮度的橘红、橙、黄、绿光，后者ga
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134124.html2011/2/20 22:58:00
洞在没有发光就被撷取了，在二者接合（再接合）时的能量，就会变成热释放出来，所以 GaN、inGaN从基本上来说，几乎不可能作为发光组件的材料。实际上，虽然缺点很多的GaN在室温条件
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134126.html2011/2/20 22:58:00
1 引言 自从1991年nichia公司的nakamura等人成功地研制出掺mg的通质结GaN蓝光led，GaN基led得到了迅速的发展。GaN基led以其寿命长、耐冲击、抗
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00
