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ⅲ 族氮化物半导体材料广泛用于紫、蓝、绿和白光发光二极管，高密度光学存储用的紫光激光器，紫外光探测器，以及高功率高频电子器件。然而由于缺乏合适的衬底，目前高质量的GaN膜通常都生
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00
围绕GaN类蓝色led的相关专利，大型led厂商曾在日本以及海外展开过诉讼。1996年日亚化学工业以丰田合成侵犯了该公司专利为由对后者提起诉讼，为了与之对抗，丰田合成也起诉了日
https://www.alighting.cn/resource/20110111/128088.htm2011/1/11 15:46:14
若将蓝宝石基板厚度由100微米缩短至80微米，晶片热阻可降低20%，但不能无限制的缩短造成晶圆片破片。另外，若将kchip值提高至280w/mk(sic)，晶片热阻可降低87.5
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126775.html2011/1/9 21:14:00
可以在大电流下使用300或500ma,进而达到三瓦的功率。本论文的技术方案是提供一种提高芯片亮度的方法，倒装焊芯片的电极与热沉芯片（硅、铜、氮化镓（GaN）、钼、碳化硅(si
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126776.html2011/1/9 21:14:00
电，led正负两个电极乃设在同面。当电流通过GaN晶格时，电流必须由垂直顺流改成水平横流且集中在内弯处，导致无法有效使用p-n接口的电子层和空穴层，因而减少了发光效率。更有甚者，电流集
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126774.html2011/1/9 21:13:00
似我国国科会，负责韩国科技事务，是大型研究机构与学术单位重要研究经费来源。目前科技部每年约有60~70件GaN相关研究计划，每年经费约2,000万至1亿韩元，比产业资源部要少。
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126727.html2011/1/9 19:50:00
式，在全世界范围内布置专利网。目前主要国家和地区专利状况请见附表。国际上有关GaN基材料和器件的专利有以下特点： 有关GaN基材料的专利数量大，总数在数千项以上，但大
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126725.html2011/1/9 19:47:00
源制造商正在加强和led制造商的联合。超高亮度led主要指algainp的红、橙、黄色led，GaN基蓝、绿、紫和紫外线le
https://www.alighting.cn/resource/20110104/128108.htm2011/1/4 10:59:03
外延片生长是指：在基片上生长结晶轴相互一致的结晶层的技术。
https://www.alighting.cn/resource/20101231/128112.htm2010/12/31 10:57:06
http://blog.alighting.cn/zhongguozhiguang/archive/2010/12/30/124591.html2010/12/30 12:57:00
