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功率型led的封装技术

光,又在器件输入功率上有很大提高。目前单芯片1w 大功率led 已产业化,3w、 5w, 甚至10w 的单芯片大功率led 也已推出,并部分走向市常这使得超高亮度led 的应用面不

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229961.html2011/7/17 23:36:00

led行业近年的重要并购事件

息中心和评分系统的生产厂商trans-lux西部公司(trans-lux west)。?;2003/10,路明集团并购美国复合半导体发光材料生产商axt公司光电事业部。路明集团认为这

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229951.html2011/7/17 23:30:00

led外延生长工艺概述

后,将方向的晶种渐渐注入液中,接着将晶种往上拉升,并使直径缩小到一定(约6mm),维持此直径并拉长10-20cm,以消除晶种内的排差(dislocation),此种零排

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外延生长技术概述

光二极管,1998年实现了室温下连续激射10,000小时,取得了划时代的进展。到目前为止,mocvd是制备氮化镓发光二极管和激光器外延片的主流方法,从生长的氮化镓外延片和器件的性

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半导体照明灯具系统设计概述

能利用型独立半导体照明灯具,节能、环保、长寿命,还省去了相关的电线及配套设施,拥有巨大的市场空间。5)提高系统的可靠性led光源有人称它谓长寿灯,作为固体发光器件,其理论寿命在10

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229949.html2011/7/17 23:29:00

led贴片胶如何固化

热分析(dsc),鉴定黏合剂性能。2、光固化当采用光固化胶时,则采用带uv光的再流炉进行固化,其固化速度快且品质又很高。通常再流炉附带的此外灯管功率为2-3kw,距pca约10cm高

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229945.html2011/7/17 23:28:00

分析el背光驱动工作原理

于降低了功耗。el灯片所需要的仅仅是高电压,负载所需的电流却非常小,大概范围是0.03到 1ma/cm2,一般来说,在el灯的面积小于10 cm2时,工作电流在几个ma左右。然而,

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229944.html2011/7/17 23:27:00

发光二极管封装结构及技术

产300亿只的能力,实现超高亮度aigslnp的led外延片和 芯片的大生产,年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯,突破gan材料的关键技术,实现蓝、绿、白的led的中批量生

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sed显示技术

刷的方法在金属电极间制作氧化钯薄膜电子发射阴极。上图右下角就是单个像素的示意图。生成了氧化钯膜的金属电极间距只有4-6个纳米,当金属电极间加上10几伏的电压后,极间将形成超高电场,氧

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el显示(薄膜型电致发光显示)技术

常el显示器是单色的,对角线尺寸从3.5英寸10.4英寸,分辨率从160 x 80 (h x v)到vga。el显示器通常采用磷产生的琥珀色。美国平达系统公司能够提供超过16种不

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