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于led的最高电压)与每个(或每组)led并联，如图1(b)所示。这样，任何一个led发生故障后，其电流都会流到相应的齐纳二极管上，led串的其余部分仍可正常工作。 基本的单阶开关转
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134170.html2011/2/20 23:17:00
经全波桥式整流后直接加至vin脚(该脚上的dc输入电压为8～450vac)，经内部高压稳压器电路，产生7.5 v的vdd电压。vdd电压可做为电流感测比较器的参考。内部稳压器带欠
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134166.html2011/2/20 23:15:00
依使用者的心情显示不同的色彩。 led效能的改善和电气特性 在大量资金投注led开发后，白光led的照明效率比起刚发明时有了大幅度的改善，目前市场上最佳的白光led照明效
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134165.html2011/2/20 23:14:00
为hzk16，专门存放汉字字库编码。要提取字库，首先要对它进行初始化，即打开字库。然后根据一个字符提取它相应的编码。首先取出字符的内码后（注意区分单字节和双字节的内码），接着通过内
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134161.html2011/2/20 23:13:00
谱影响并不大。寿命试验结果也较好，φ5的白光led在工作1．2×104h后，光输出才会下降至80％，而这种功率led最高效率可达到44．3lm·w-1，最高光通量为l 87lm，产
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134163.html2011/2/20 23:13:00
还支持在应用编程iap。内置的flash程序存储器可擦写1 000次以上，给用户的开发生产和维护带来方便。可擦写10万次的e2prom，为掉电后数据的保存带来方便。avr单片机有丰
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134156.html2011/2/20 23:10:00
层。并且采用表面粗化处理的器件和传统器件采用相同的生长方法和步骤制备。经过表面粗化后， p-gan 表面均方根粗糙度由 2.7nm 增加到了 13.2nm 。结果显示，采用表面粗
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构的 led 芯片到焊接点的热阻抗可以降低 9k/w ，大约是传统 led 的 1/6 左右，封装后的 led 施加 2w 的电力时， led 芯片的接合温度比焊接点高 18k ，即
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134148.html2011/2/20 23:07:00
外还有低输出电阻(小于1ω)和低led引脚电压降(大约150mv)特性。图2显示了本例中向电压为3.5v的1.33x模式的转换，转换后的电压比3.3v的vf高200mv。 le
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阻(如果需要)，由r6和r7组成。 max16802的限流门限为291mv。因此选择r9、r10、r6和r7，满足步骤4所计算的电感峰值电流。 这步完成后，即可得到应用电路
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