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led芯片寿命试验

用芯片,一般称为裸晶,也可以采用经过封装后的器件。采用裸晶形式,外界应力较小,容易散热,因此小、寿命长,与实际应用情况差距较大,虽然可通过加大电流来调整,但不如直接采用单灯器件形

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258569.html2011/12/19 11:00:50

led芯片寿命试验

用芯片,一般称为裸晶,也可以采用经过封装后的器件。采用裸晶形式,外界应力较小,容易散热,因此小、寿命长,与实际应用情况差距较大,虽然可通过加大电流来调整,但不如直接采用单灯器件形

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261498.html2012/1/8 21:46:08

led芯片寿命试验

用芯片,一般称为裸晶,也可以采用经过封装后的器件。采用裸晶形式,外界应力较小,容易散热,因此小、寿命长,与实际应用情况差距较大,虽然可通过加大电流来调整,但不如直接采用单灯器件形

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262671.html2012/1/29 0:37:03

led芯片寿命试验

用芯片,一般称为裸晶,也可以采用经过封装后的器件。采用裸晶形式,外界应力较小,容易散热,因此小、寿命长,与实际应用情况差距较大,虽然可通过加大电流来调整,但不如直接采用单灯器件形

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271773.html2012/4/10 23:32:48

led芯片寿命试验

用芯片,一般称为裸晶,也可以采用经过封装后的器件。采用裸晶形式,外界应力较小,容易散热,因此小、寿命长,与实际应用情况差距较大,虽然可通过加大电流来调整,但不如直接采用单灯器件形

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274748.html2012/5/16 21:29:36

垂直结构led技术面面观

、采用碳化硅基板生长gan薄膜,优点是在相同操作电流条件下,少、寿命长,不足处是硅基板会吸。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是少、寿命长,不足处是须对led表面进行处理

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233187.html2011/8/20 0:26:00

垂直结构led技术面面观

、采用碳化硅基板生长gan薄膜,优点是在相同操作电流条件下,少、寿命长,不足处是硅基板会吸。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是少、寿命长,不足处是须对led表面进行处理

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258466.html2011/12/19 10:54:53

垂直结构led技术面面观

、采用碳化硅基板生长gan薄膜,优点是在相同操作电流条件下,少、寿命长,不足处是硅基板会吸。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是少、寿命长,不足处是须对led表面进行处理

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261596.html2012/1/8 21:55:11

垂直结构led技术面面观

、采用碳化硅基板生长gan薄膜,优点是在相同操作电流条件下,少、寿命长,不足处是硅基板会吸。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是少、寿命长,不足处是须对led表面进行处理

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262772.html2012/1/29 0:44:05

垂直结构led技术面面观

、采用碳化硅基板生长gan薄膜,优点是在相同操作电流条件下,少、寿命长,不足处是硅基板会吸。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是少、寿命长,不足处是须对led表面进行处理

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268356.html2012/3/15 21:57:13

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