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深度解析在led设计中驱动器拓扑结构的选择

过去几年来,高亮度发光二极管(hb-led)在每封装流明输出和光效(单位为l m/w)方面的性能快速提升。商用的1w led已提供有冷色温led(色温5000k)的每封装流明输

  https://www.alighting.cn/resource/20140103/124943.htm2014/1/3 16:11:00

一种高效率、高调光比的led恒流驱动电路设计

基于led发光特性, 本文设计了一种宽电压输入、大电流、高调光比led恒流驱动芯片。该芯片采用迟滞电流控制模式, 可以用于驱动一颗或多颗串联led。在6v~30v的宽输入电压范围

  https://www.alighting.cn/resource/20131129/125062.htm2013/11/29 10:11:37

一种利用低漏失ldo实现低电压的wled驱动方案

白光发光二极管(wled)已受到广泛应用,主因在于wled可用于提供可携式电子产品显示器的背光。一般认为单一wled需要4伏特的驱动电压,由于锂电池提供3.6伏特的电压,因此一

  https://www.alighting.cn/2013/11/27 14:19:25

大功率led灯珠特性及技术参数分析

d),也就是发光强度

  https://www.alighting.cn/2013/11/13 16:10:24

离线高功率因数triac调光led照明驱动器设计

据国际能源署(iea)估计,全球消耗的电能中有19%是用于照明。因此,近年来,世界各国纷纷致力于以更高能效的方案来替代低能效的白炽灯光源。而随着发光二极管(led)在流明输出及光

  https://www.alighting.cn/2013/11/5 11:07:37

效率、高调光比led恒流驱动电路设计

基于led发光特性,本文设计了一种宽电压输入、大电流、高调光比led恒流驱动芯片。该芯片采用迟滞电流控制模式,可以用于驱动一颗或多颗串联led。在6v~30v的宽输入电压范围

  https://www.alighting.cn/2013/9/30 14:16:30

led衬底、外延及芯片的技术发展趋势

别在led衬底、外延、芯片的核心技术研究方面,已取得突破性成果。对led发展提出了不同的技术路线和“终极目标”的技术方案,以及提出新的发光材料。为此,本文除简要描述半导体照明上游产

  https://www.alighting.cn/2013/8/13 9:58:57

关于led成像分布光度计的研究

本文介绍并探讨了一种新型的基于成像方法的测试光度计,并且对其进行了研究,对于具有半面发光特点的led光度测试,给出了一种解决方案.目前测试的结果,比较吻合实际led的配光曲线,具

  https://www.alighting.cn/resource/20130709/125467.htm2013/7/9 11:04:42

缓冲层生长压力对mocvd gan性能的影响

描电子显微镜(sem)分析结果表明,缓冲层生长压力越大,gan缓冲层退火后成核中心体积越小,表面粗糙度越大,高温生长gan岛间合并延迟.x射线衍射(xrd)和光致发光谱(pl)测

  https://www.alighting.cn/resource/20130625/125485.htm2013/6/25 16:38:58

大功率led的封装及其散热基板研究

从解决大功率发光二极管散热和材料热膨胀系数匹配的角度,介绍了几种典型的封装结构及金属芯线路板(mcpcb)的性能,并简要分析了其散热原理。最后介绍了等离子微弧氧化(mao)工艺制

  https://www.alighting.cn/resource/20130524/125568.htm2013/5/24 15:46:06

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