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式，是一个将交流电源以D1到D4进行整流，接着通过电感器l1、mosfet -q1、输出电容c4以及控制器所组成降压转换电路。在这个90到135 vac输入的特定电路中，由并行电流传
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性。反射型与投射型leD发光源3D模型仿真
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230318.html2011/7/20 0:06:00
随着亮度增加和价格降低，白光leD在通用照明领域的市场潜力越来越大。白光leD在通用照明产业的使用，将对国家或地区的能源策略和环保策略产生积极的影响。 白光l e D 具有体积
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230319.html2011/7/20 0:06:00
如，lumileDs flooD 面板上有 12 支 leD接成 6 个并联leD对，如图 1 所示。原文位置 在上述情况中，制造商将 hbleD 接为并联对。由于它们的正向压降表现为负温度系
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230317.html2011/7/20 0:05:00
n，对应4个leD的亮或灭；右面的组合框包括6个raDiobutton(对应不同的闪烁模式和闪烁快慢)和1个lcDnumber(用来显示闪烁的时间间隔)。本程序建立的signal—
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年;2010年间出现，不过实际的发展似乎已比定律更超前，2006年6月日亚化学工业（nichia）已经开始提供可达100lm/w白光leD的工程样品，预计年底可正式投入量
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230315.html2011/7/20 0:04:00
为 pDa 和数码相机等便携式应用驱动高达 6 个白色 leD。其输入电压工作范围为 1.8 v 至 6 v，可以采用两节碱性电池和镍氢电池输入(1.8 v 到 ~3 v)、三节碱
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w射灯—3-7w水下射灯6 发展趋势单芯片功率将越来越大，但要用于大功率照明还需要集成。多芯片集成技术将成为leD照明的关键技术。多芯片方法目前将主要用于单芯片功率难以达到的地
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230307.html2011/7/19 23:57:00
准电压做比较，控制上端mos管的导通电阻，改变充电回路的rc充电常数，最终使输出稳定在5 v。图3为控制脉冲时序图，其中D1为s1的驱动信号，低有效；D2为s4、s6的驱动信号，高有
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能，aat3110自身功耗甚微仅13ua，在停机状态下耗用电流小于1ua。aat3110与其它公司同类产品相比输出电流大、纹波小、价格低（图.6），实际应用时对leD并联供电（图.
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