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led芯片的技术发展状况

如波长625 nm algainp超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。  lgainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

led芯片的技术发展状况

如波长625 nm algainp超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。  lgainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

led芯片的技术发展状况

如波长625 nm algainp超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。  lgainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

led芯片的技术发展状况

如波长625 nm algainp超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。  lgainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn

  http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16

[转载]led研究人員攻克led發射器的靜電危害性

尔国民大学(kookmin university)和庆熙大学(kyung hee university)的研究人员,携手epivalley公司led制造商的同仁共同研究,以提高氮化

  http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/5/22/45324.html2010/5/22 22:19:00

led资料将来展开趋势:低本钱、高功率

出射;二是运用碳化硅衬底进步器材散热,三是运用氮化同质衬底制备极低缺点的高质量晶体,进步led的发光功率。 无极灯当前国内半导体照明资料的首要疑问有:一是中心专利技能缺少,国内大

  http://blog.alighting.cn/184907/archive/2013/8/13/323399.html2013/8/13 15:08:07

凝胶型led 封装材料础聚合物的制备及性能

通过开环聚合制备了透明的聚( 二甲??甲??甲乙烯) 硅氧烷共聚物, 考察了聚合条件对产物结构与性能 的影响。

  https://www.alighting.cn/2014/5/13 10:31:58

led照明迎来好机会 2015年实施绿色建筑标准

led照明的led是由ⅲ-ⅳ族化合物,如砷化、磷化、磷砷化等半导体制成,它是利用固体半导体芯片作为发光材料。稀有金属在现代半导体工业应用广泛,主要以化合物砷化出现,占

  https://www.alighting.cn/news/20141230/107770.htm2014/12/30 9:41:07

光伏行业“求人不如求己”

展的新趋势和新热点。目前已经能进行产业化大规模生产的薄膜电池主要有3种:硅薄膜太阳能电池、铜铟硒薄膜太阳能电池(cigs)、碲化镉薄膜太阳能电池(cdte)。  对于发展薄膜电池而

  http://blog.alighting.cn/143340/archive/2012/12/10/302961.html2012/12/10 10:27:29

光伏行业“求人不如求己”

展的新趋势和新热点。目前已经能进行产业化大规模生产的薄膜电池主要有3种:硅薄膜太阳能电池、铜铟硒薄膜太阳能电池(cigs)、碲化镉薄膜太阳能电池(cdte)。  对于发展薄膜电池而

  http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304110.html2012/12/17 19:33:12

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