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led 驱动器应用中升压转换器的简单开路保护

本文为您介绍一种简单的健壮开路故障保护方法,其使用一个齐纳二极和一个电阻器,并且对总效率的影响可以忽略不计。通过将一个高压升压转换器配置为一个恒流驱动器,用于驱动 3 支高亮度

  https://www.alighting.cn/2012/12/30 11:37:25

novaled报道绿色pin磷光oled寿命及最低驱动电压新记录

二极(pholed)在初始亮度为1000cd/sqm时的寿命超过2万小时,并实现了低驱动电

  https://www.alighting.cn/resource/20070710/128513.htm2007/7/10 0:00:00

oled高光效需解决材料和结构问题

从材料的角度来说,要达到如此高的效率,必须采用发光效率可达100%的磷光材料,目前绿光和红光磷光材料已经没有问题,急待解决的是起重要作用的蓝光磷光材料。

  https://www.alighting.cn/news/20101031/104104.htm2010/10/31 0:00:00

加州微器件公司开发白光led驱动ic

美国加利福尼亚微器件公司(california micro devices, cmd)日前开发出了“cm93xx”系列白色led驱动ic,该系列包括能够为有机el面板提供照明的品

  https://www.alighting.cn/news/20060523/101449.htm2006/5/23 0:00:00

夏普将再出新款大功率led照明器件

大功率led又有了新果,夏普公司即将推出一款高光效的高功率led照明器件

  https://www.alighting.cn/pingce/20110930/122950.htm2011/9/30 15:41:36

芯片大小和电极位置对GaN基led特性的影响

年来被广泛用于制造短波长的光电器件,如发光二极(leds)和激光二极(lds)。目前有关gan材料生长报道和文献较多,有关芯片制造方面有少量报道还仅局限在gan的刻蚀和欧姆接

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对GaN基led特性的影响

年来被广泛用于制造短波长的光电器件,如发光二极(leds)和激光二极(lds)。目前有关gan材料生长报道和文献较多,有关芯片制造方面有少量报道还仅局限在gan的刻蚀和欧姆接

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对GaN基led特性的影响

年来被广泛用于制造短波长的光电器件,如发光二极(leds)和激光二极(lds)。目前有关gan材料生长报道和文献较多,有关芯片制造方面有少量报道还仅局限在gan的刻蚀和欧姆接

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对GaN基led特性的影响

年来被广泛用于制造短波长的光电器件,如发光二极(leds)和激光二极(lds)。目前有关gan材料生长报道和文献较多,有关芯片制造方面有少量报道还仅局限在gan的刻蚀和欧姆接

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对GaN基led特性的影响

年来被广泛用于制造短波长的光电器件,如发光二极(leds)和激光二极(lds)。目前有关gan材料生长报道和文献较多,有关芯片制造方面有少量报道还仅局限在gan的刻蚀和欧姆接

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

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