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led散热铝础知识

特的金属覆铜板,具有良好的导热性、电气绝缘性能和机械加工性能。设计时也要尽量将pcb靠近铝底座,从而减少灌封胶部分产生的热

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271815.html2012/4/10 23:37:58

led芯片的技术发展状况

长625 nm algainp超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn超高亮

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271795.html2012/4/10 23:36:34

2048像素led平板显示器件的封装

图1)。3材料选用3.1陶瓷盖led平板显示器厚膜电路衬底片材料采用常规厚膜工艺所使用的96%a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材料时,除要求其理化性能与衬底片能够良好匹配外,还

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271793.html2012/4/10 23:36:29

2048像素led平板显示器件的封装

示器厚膜电路衬底片材料采用常规厚膜工艺所使用的96%a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材料时,除要求其理化性能与衬底片能够良好匹配外,还应尽量考虑降低产品制造成本。为此,我们将厚

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271789.html2012/4/10 23:33:46

led芯片的技术发展状况

长625 nm algainp超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn超高亮

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271785.html2012/4/10 23:33:32

高亮度led发光效益技术

高亮度led虽然具备了更省电、使用寿命更长及反应时间更快等优点,但仍得面对静电释放(esd)损害和热膨胀系数(tce)等效能瓶颈;本文将提出一套采次黏着台(submoun

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271763.html2012/4/10 23:32:00

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

手机相机的led闪光灯驱动电路

路和升压开关管,但是电感和用于续流的肖特二极管还是外接的,这增加了电路的复杂性、成本和pcb面积。此外,由于闪光灯驱功电路、led、显示屏、手机天线一般位于手机上端,与手机的射频电

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271736.html2012/4/10 23:30:12

led 组装静电防护最低要求

路。潜在性失 效则可使 led 的性能参数劣化,例如漏电流加大,一般 gan led 受到静电损伤后所形成的隐患并无任何方法可 治愈。 3 、复杂性 : 在静电放电的情况下,起放

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271706.html2012/4/10 23:23:29

hba官方 esap度假村

这个重新设计的度假酒店及水疗突出体现了自然豪华的整体设计美学,因为它忽略了拉尼的雄伟湖莱因。 the magnificent espa at hotel europe i

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