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飞利浦lumileds推出300+流明led可有效降低成本

philips lumileds发布luxeon rebel es产品线的最新进展,此一最新进展将为新出现的户外照明解决方案提供更高光效和更多光输出以缩短投资回报周期,进一步降低总

  https://www.alighting.cn/news/20100729/120188.htm2010/7/29 0:00:00

士兰微:led盈利大增 明年将现阶段性过剩

目前国内led产品的应用局限于高端显示屏,近期纷纷上马的led项目将大大增加国内led外延芯片产能,业内人士认为,到2012年随着外延芯片产能扩充的不断放量,led行业将出现阶段性

  https://www.alighting.cn/news/20100921/121058.htm2010/9/21 0:00:00

鸿利子公司、国星光电取得led/照明相关专利证书

昨(1)日,鸿利智汇及国星光电纷纷发布了取得发明专利证书的公告。

  https://www.alighting.cn/news/20200402/167519.htm2020/4/2 9:31:52

牺牲ni退火对硅衬底GaN基发光二极管p型接触影响的研究

本文通过在硅衬底发光二极管(led)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖层之

  https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01

关于联盟组团赴欧参加icns学术会议暨欧洲GaN学术拓展精进之旅的通知

为响应国家推进新材料产业发展,实施制造产业强国战略的号召,国家半导体照明工程研发及产业联盟(csa)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(casa)将联合北京大学于2017年7月20

  https://www.alighting.cn/news/20170413/150127.htm2017/4/13 14:51:26

[原创]国内外led专利竞争情况

式,在全世界范围内布置专利网。目前主要国家和地区专利状况请见附表。国际上有关GaN基材料和器件的专利有以下特点:   有关GaN基材料的专利数量大,总数在数千项以上,但大

  http://blog.alighting.cn/zhongguozhiguang/archive/2010/12/30/124591.html2010/12/30 12:57:00

国内外led专利竞争情况

式,在全世界范围内布置专利网。目前主要国家和地区专利状况请见附表。国际上有关GaN基材料和器件的专利有以下特点:   有关GaN基材料的专利数量大,总数在数千项以上,但大

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126725.html2011/1/9 19:47:00

钻石底碳化硅 led的梦幻基材(上)

碳化硅(sic)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。

  https://www.alighting.cn/resource/20110714/127427.htm2011/7/14 17:29:12

led外延片:五种衬底材料的综合比较

衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。衬底材料的技术对于led的发展至关重要;本文,简单介绍几种常用的衬底材料,以飨读者;

  https://www.alighting.cn/resource/20101119/128220.htm2010/11/19 11:23:36

功率型led芯片热超声倒装技术

结合功率型GaN基蓝光led芯片的电极分布,在硅载体上电镀制作了金凸点,然后通过热超声倒装焊接技术将led芯片焊接到载体硅片上。结果表明,在合适的热超声参数范围内,焊接后的功率

  https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1064.htm2010/1/18 14:26:55

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