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括产品市场地域分布、按封装设备（灯具/smd/多芯片rgb/高功率封装）、材料（ingaaip和InGaN）以及hb LED应用细分市场
https://www.alighting.cn/news/20080726/103964.htm2008/7/26 0:00:00
球首家量产硅基大功率LED芯片的公司”成功入选了“全球半导体照明2012年度新闻”。“全球半导体照明年度新闻”是全球半导体照明领域最具影响力的新闻事件，此次新闻事件充分体现了硅基大
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2012/11/19/298630.html2012/11/19 11:11:30
首尔viosys和美国加利福尼亚大学圣塔芭芭拉分校(ucsb)一直在探索缩小绿色和蓝色InGaN micro LED直径的影响。由于尺寸缩小是由于器件表面的非辐射复合导致，LED
https://www.alighting.cn/news/20200330/167405.htm2020/3/30 9:59:33
密西根研究团队11月发表最新研究，发现将化学元素硼(boron)加入氮化铟镓 (InGaN) 材料可以让LED半导体的中间层(middle layer)厚度变大，解决发光效率随
https://www.alighting.cn/pingce/20171128/153901.htm2017/11/28 9:48:13
基铺мята餐厅照明设计，照明设计，灯光设计！
https://www.alighting.cn/case/20161115/43055.htm2016/11/15 9:34:37
采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的p-nc-si∶h薄膜材料(σ=5.86s/cm、eopt2.0ev).通过xrd测量计算出薄膜111
https://www.alighting.cn/resource/20110908/127173.htm2011/9/8 11:53:05
asp系列在保持耐光性及耐热性的条件下，降低了硅材料存在的缺点——透气性。作为LED的封装材料，透气性降低到了此前所用甲基硅的1/100、苯基硅的1/10左右。
https://www.alighting.cn/news/20090611/120317.htm2009/6/11 0:00:00
式。采用与医学用生命支持设备相同的技术，camd发展出一种硅载体（silicon carrier）或次黏着基台（submount），以做为InGaN芯片与导线框之间的内部固着介质；
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232808.html2011/8/19 0:16:00
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262661.html2012/1/29 0:36:32
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271763.html2012/4/10 23:32:00
