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子从电源获得能量，在电场的驱动下，克服Pn结的电场，由n区跃迁到P区，这些电子与P区的空穴发生复合。由于漂移到P区的自由电子具有高于P区价电子的能量，复合时电子回到低能量态，多
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120869.html2010/12/14 21:47:00
1、什麼是led的结温？ led的基本结构是一个半导体的P—n结。实验指出，当电流流过led元件时，P—n结的温度将上升，严格意义上说，就把P—n结区的温度定义为led的结
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/17/179100.html2011/5/17 16:32:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/6/18/221770.html2011/6/18 20:03:00
1、什麼是led的结温？ led的基本结构是一个半导体的P—n结。实验指出，当电流流过led元件时，P—n结的温度将上升，严格意义上说，就把P—n结区的温度定义为led的结温。通
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258613.html2011/12/19 11:09:16
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261458.html2012/1/8 21:36:25
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262630.html2012/1/29 0:34:32
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271732.html2012/4/10 23:29:53
量，在电场的驱动下，克服Pn结的电场，由n区跃迁到P区，这些电子与P区的空穴发生复合。由于漂移到P区的自由电子具有高于P区价电子的能量，复合时电子回到低能量态，多余的能量以光子的形式放
http://blog.alighting.cn/iled/archive/2012/5/14/274356.html2012/5/14 14:13:49
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274790.html2012/5/16 21:31:57
si衬底led芯片制造工艺 si衬底led封装技术 解决方案： 采用多种在线控制技术 通过调节P型层镁浓度结构 采用多层金属结构 1993年世
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
