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率指标控制必须非常严格，这是封装业的重中之重。以往，制约led封装技术发展的因素被认为主要存在于以下三个方面：一是关键的封装原材料，如基板材料、有机胶(硅胶、环氧树脂)、荧光粉等性
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233057.html2011/8/19 23:49:00
样灯具所用的led光源数量将明显减少,有助于灯具成本的下降。 3.发展新型衬底材料。现在的大功率led芯片衬底材料一般都为蓝宝石或SiC,这两种材料价格都非常昂贵,且都为国外大企业
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233061.html2011/8/19 23:49:00
由于led技术的进步，led应用亦日渐多元化，由早期的电源指示灯，进展至具有省电、寿命长、可视度高等优点之led照明产品。然而由于高功率led输入功率仅有15至20%转换成光，其余
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/18/232792.html2011/8/18 23:48:00
led封装方式是以晶粒(die)藉由打线、共晶或覆晶封装技术与其散热基板submount(次黏着技术)连结而成led晶片，再将晶片固定于系统板上连结成灯源模组。
https://www.alighting.cn/resource/20110818/127295.htm2011/8/18 16:47:54
a1gainn芯片倒装焊接在具有防静电保护二极管(esd)的硅载体上。美国cree公司是采用SiC衬底制造a1gainn超亮度led的全球唯一厂家，近年来a1galnn／SiC芯
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/8/18/232671.html2011/8/18 1:26:00
体的制作技术，应该可以克服上述困扰。如上所述提高施加电力的同时，必需设法减少热阻抗、改善散热问题，具体内容分别是：降低芯片到封装的热阻抗、抑制封装至印刷电路基板的热阻抗、提高芯片的散
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/8/18/232655.html2011/8/18 1:14:00
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/17/232652.html2011/8/17 22:54:00
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/17/232651.html2011/8/17 22:52:00
粉 四、蓝led+znse单结晶基板 目前手机、数字相机、pda等背光源所使用之白光led采用蓝光单晶粒加yag萤光而成。随着手机闪光灯、大中尺寸（nb、lcd-tv等）显示屏光
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/17/232649.html2011/8/17 22:45:00
镓上硅技术”(gan-on-si)最高每瓦流明纪录外，同时也进一步提升硅基板氮化镓led效能与可制造性的领先幅
https://www.alighting.cn/news/20110816/115082.htm2011/8/16 10:07:56
