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性表明，在ｐ焊线电极与ｎ电极的距离差不多时，芯片ｉ－ｖ特性与镶嵌结构电极芯片相当。图２（ｂ）ｐ焊线电极远离ｎ电极对角电极芯片相对ｖｆ较高，这说明ｐ焊线电极下面的电流密度比与ｎ电极等距
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35
电产品需要优化的led驱动电路架构，这些架构要处理并存的多项挑战，如空间受限、需要高能效，以及电池电压变化—既可能比led的正向电压高，也可能低。常用的拓扑结构有两种，分别是led采
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261487.html2012/1/8 21:45:47
0～dout7、out0～out15)、输出锁存信号latch、移位时钟dclk、移位使能信号enable、占空比控制时钟gsclk。该图像屏可分为5行10列共50个16%26;#21
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261493.html2012/1/8 21:45:59
分比。一般通过 pn结压降可以确定led的波长顏色。其中典型的有gaas0.6p0.4 的红光led，gaas0.35p0.65的橙光led，gaas0.14p0.86的黄光 le
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261495.html2012/1/8 21:46:02
素取代砷元素的百分比。一般通过pn结压降可以确定led的波长颜色。其中典型的有gaas0.6p0.4的红光led,gaas0.35p0.65 的橙光led,gaas0.14p0.8
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261534.html2012/1/8 21:48:44
点。 第一，其成本仍比传统ccfl背光高出许多，这有待技术的不断发展及生产规模继续扩大。 第二，led背光供应链供给能力不如传统ccfl背光成熟，因此极易产生衔接不上、交货不
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261539.html2012/1/8 21:48:55
脚，以其巨大的视觉冲击力再次创造了震撼世界的场景。 “从制造技术上来讲，led灯具产品本身比传统灯具要复杂许多，它涵盖了半导体、灯具结构和散热材料等多个行业，是一个跨行业的产品。
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261551.html2012/1/8 21:49:42
灯的工作条件比室内led照明灯具更苛刻，要求更高，如能做到质量过关（散热、使用寿命、显色性、可靠性等），那么再来做室内的led照明灯就比较容易了。目前国外的led巨头都在大量推出几百
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261564.html2012/1/8 21:50:56
够提供比ccfl更高的亮度，并且，在正确地集成入系统时，led背光的使用寿命更长。此外，hbled可在更广的温度范围内高效工作，尤其是在低温下。在那些很难提供ccfl所需高压的应用
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261571.html2012/1/8 21:51:11
接使用交流电驱动，不需配合整流变压器也能正常运作，所以在照明灯具设计上，体积及重量都能较一般dcled灯具更有优势。但目前因发光效率仍比dcled差，价格也较贵，在应用推广上仍需一
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261575.html2012/1/8 21:51:20
