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中村修二教授1993年在日本日亚化工（株）就职期间，开发了被认为是20世纪不可能实现的高亮度蓝色led，世界上最早以GaN base成功实现了量产和开发，被称为led行业的爱迪生。
https://www.alighting.cn/news/20100324/104811.htm2010/3/24 0:00:00
2015年度国家科学技术发明一等奖正式揭晓，一直饱受争议的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目摘得了此桂冠。
https://www.alighting.cn/special/20160115/2016/1/14 17:35:22
led磊晶设备大厂veeco宣布台湾led磊晶厂商晶电日前订购数台turbodisc? epik?700 gallium nitride (GaN) mocvd系统，用于led生
https://www.alighting.cn/news/20160815/142845.htm2016/8/15 9:26:58
向电压vf.5.led有哪几种构成方式?答:led 因其颜色不同,而其化学成份不同:如红色 ：铝-铟-镓-磷化物绿色和蓝色: 铟-镓-氮化物白色和其它色都是用rgb三基色按适当的比
http://blog.alighting.cn/something/archive/2010/9/12/96436.html2010/9/12 20:49:00
pss最近受到热捧，pps的衬底可以有效减少GaN外延材料的位元错密度，从而减小有源区的非辐射复合，提升内量子效率，减小反向漏电流，提高led的寿命;另一方面有源区发出的光，
https://www.alighting.cn/resource/20130117/126148.htm2013/1/17 20:11:08
ux:3在led芯片内部设置了向芯片表面内扩展的n型接触层。从该n型接触层起，通过数十个通孔(芯片尺寸为1mm见方时)，向芯片表面上的n型GaN类半导层进行电气连接。这样一来，便
https://www.alighting.cn/resource/20101013/128355.htm2010/10/13 0:00:00
体公司研发GaN衬底的led同质外延技术，美国普瑞光电公司、欧司朗osram、韩国三星、日本东芝等众多公司在开发矽衬底GaN基led技
https://www.alighting.cn/news/20121128/89354.htm2012/11/28 14:08:33
且和衬底分离的GaN薄膜有可能成为体单晶GaN芯片的替代品。hvpe的缺点是很难精确控制膜厚,反应气体对设备具有腐蚀性,影响GaN材料纯度的进一步提高。3.选择性外延片生长或侧向外
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00
采用的基片根据led的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色led和白色led等GaN类半导体材料的led芯片，则使用蓝宝石、sic和si等作为基片，如果是红色led等采
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127074.html2011/1/12 17:16:00
圆做为生产超级led 的基材。超级led 可发出极强的紫外光其强度不因高温而降低，反而会更亮。超级led的半导体，包括钻石、立方氮化硼及氮化铝等具有极宽的能隙，甚至能制成固态的u
https://www.alighting.cn/resource/2011/3/29/15315_53.htm2011/3/29 15:31:05
