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功率型led封装技术的关键工艺分析

d封装结构,一般是用导电或非导电将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262626.html2012/1/29 0:34:17

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

构,一般是用导电或非导电将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统式的led封

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262769.html2012/1/29 0:43:56

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

构,一般是用导电或非导电将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统式的led封

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268359.html2012/3/15 21:57:22

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

构,一般是用导电或非导电将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统式的led封

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271153.html2012/4/10 20:57:59

功率型led封装技术的关键工艺分析

d封装结构,一般是用导电或非导电将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271728.html2012/4/10 23:29:39

功率型led封装技术的关键工艺分析

d封装结构,一般是用导电或非导电将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274795.html2012/5/16 21:32:09

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

构,一般是用导电或非导电将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统式的led封

  http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279497.html2012/6/20 23:06:36

[原创]【3.15晒产品】led节能玻璃灯罩 - 推广(深圳光仕达)

下40度低温的灯罩。多达200多种规格均可订做,是替代目前普遍应用的普通磨砂灯泡、灯罩、普通水涂、涂(丁酯涂的)、白炽灯泡、灯罩及普通静电喷涂白炽灯泡的创新产品,可完全满足荧光节能

  http://blog.alighting.cn/GDGSD8/archive/2011/3/2/137498.html2011/3/2 14:01:00

nSc9201大功率led隧道灯-温岭市海洋王照明工程有限公司

,能保证灯具的密封性,确保不进水及灰尘;4:优越的散热结构:散热器与灯体一体化,加厚的铝材可以提高即时导热;波浪型散热片可以增加散热面积,有效地提高了散热效果。整个结构中间散热优

  http://blog.alighting.cn/acallme/archive/2011/5/12/178218.html2011/5/12 9:26:00

一种发光二极管模型中无序光子晶体对光输出影响的研究(英文)

利用order-n算法及超晶格技术讨论了位置无序及尺寸无序对石墨点阵柱状光子晶体光子带隙的影响·计算结果表明,对于电场偏振模,光子带隙对尺寸无序更加敏感·在此基础上,利用三维时

  https://www.alighting.cn/2013/2/1 13:16:45

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