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构，利用两种以上不同折射率（或介电常数）材料做周期性变化来达成光子能带的物质。所以光子晶体（photonic crystal）被发现已将近20年后的今天，在各领域的应用有著相当令
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133877.html2011/2/19 23:37:00
高光输出量，所以，有逐渐朝向在芯片表面建立texture或photonics结晶的架构。例如德国的osram就是以这样的架构开发出「thin GaN」高亮度led，osram是
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133870.html2011/2/19 23:35:00
到年产300亿只的能力，实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产，年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯，突破GaN材料的关键技术，实现蓝、绿、白的led的中批
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133866.html2011/2/19 23:34:00
出电压。其损耗主要来自电容器的esr(等效串联电阻)和内部开关晶体管的rds（on）。电荷泵转换器不使用电感，因此其辐射emi可以忽略。输入端噪声可用一只小型电容滤除。它输出电
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133868.html2011/2/19 23:34:00
比很大，一般采用晶体管并联的形式，在版图上通常以waffle的结构实现。 如果开关管的衬底未与源端相接，则会产生衬底偏置效应，使开关管产生阈值损失，导致电荷泵电压无法升至设定值。如
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133849.html2011/2/19 23:30:00
装。 其可微调的内部rc振荡器在16 mhz运行时，可用作 cpu总线时钟(4 mhz)的基础，节省了外部元件成本。 设计者也能利用诸如外部rc或晶体振荡器等的时钟运行器件。其定时
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133851.html2011/2/19 23:30:00
国的osram就是以这样的架构开发出“thin GaN”高亮度led。原理是在inGaN层上形成金属膜，之后再剥离蓝宝石，这样，金属膜就会产生映像的效果而获得更多的光线取出，根
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133847.html2011/2/19 23:28:00
标是达到年产300亿只的能力，实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产，年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯，突破GaN材料的关键技术，实现蓝、绿、白的led的
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133827.html2011/2/19 23:18:00
出功率较低的一组采用功率晶体管作为初级电路开关器件，而输出功率较高的一组则采用fet。 变压器对输入电压进行升压。在设计电路时需要考虑功率、铜损耗及磁芯材料。 图2详
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133820.html2011/2/19 23:14:00
域当中拥有调整led正向电流的办法与精准性，需要车用电池组与充电系统以及串联限制电阻器。 在调节led工作电流时创新使用标准n型沟道耗尽型晶体管(jfet)比使用电阻能获
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133811.html2011/2/19 23:09:00
