站内搜索
早期在小积体电路时代,每一个6?嫉耐庋悠?上制作数以千计的芯片,现在次微米线宽的大型vlsi,每一个8?嫉耐庋悠?上也只能完成一两百个大型芯片。外延片的制造虽动蓓投资数百亿,但
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00
长iii-v族,ii-vi族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。下面是关于leD外延片技术的一些资料。1.改进两步法生长工艺目前商业化生产采用的是两步生长工艺,但一次可装入衬底数有限,6片
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00
度,却失去了leD应有的寿命。因此在半导体照明灯具设计上慎选leD,应使用大功率leD作为照明设备光源。6)提高光通量、降低价格目前单个1w的leD器件,光通量约为25 lm,质
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229949.html2011/7/17 23:29:00
仅驱动一个leD就需要5到10ma的电流。低功耗对于使用电池供电的设备而言,具有相当大的意义。 从电气特性上看,el灯片具有阻容特性,等效电路如图1,电容容量通常是2到6nf/in
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229944.html2011/7/17 23:27:00
刷的方法在金属电极间制作氧化钯薄膜电子发射阴极。上图右下角就是单个像素的示意图。生成了氧化钯膜的金属电极间距只有4-6个纳米,当金属电极间加上10几伏的电压后,极间将形成超高电场,氧
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229937.html2011/7/17 23:25:00
度很高的材料；(6)、外延层大面积均匀性良好；(7)、可以进行大规模生产。mocvD与另一种新型外延技术--分子束外延(mbe)相比,不仅具有mbe所能进行的超薄层、陡界面外延生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00
晶,向4-6英?挤较蚍⒄梗?以及降低杂质污染和提高表面抛光质量。3)sic衬底除了al2o3衬底外,目前用于氮化镓生长衬底就是sic,它在市场上的占有率位居第二,目前还未有第三种衬
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00
]化学稳定性好,在外延生长的温度和气氛中不容易分解和腐蚀；• [4]热学性能好,包括导热性好和热失配度小；• [5]导电性好,能制成上下结构；• [6]光学性能好,制作的器件所发
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
面是关于leD未来晶圆技术的一些发展趋势。1.改进两步法生长制程目前商业化生产采用的是两步生长制程,但一次可装入衬底数有限,6片机比较成熟,20片左右的机台还在成熟中,片数较多后导致晶
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
中按采用的数码管尺寸可分2.0cm(0.8inch)、2.5cm(1.0inch)、3.0cm(1.2inch)、4.6cmm(1.8inch)、5.8cm(2.3inch)、7.
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229924.html2011/7/17 23:19:00
