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电源是影响led光源可靠性和适应性的一个重要组成部分必须作重点考虑。目前我国的市电是220v的交流电，而led光源属半导体光源，通常是用直流低电压供电，这就要求在这些灯具中或外
https://www.alighting.cn/2012/7/17 11:02:03
好的符合近紫外光激发下白光led的需要.研究了sm3+浓度对材料发射强度的影响,发现sm3+浓度为3mol%时,强度最大.添加na+或k+也可提高lisrbo3∶sm3+材料的发
https://www.alighting.cn/2011/10/24 14:35:54
u2+掺杂浓度影响了合成材料的发射光谱
https://www.alighting.cn/2011/10/24 14:16:05
计了一套研究led影响的系统——led阵列模拟针灸照射笔。依据led参数,如led的数量、照射时间和发光强度等来确定温度的改变。led阵列照射笔用来照射人体皮肤的穴位,作用到人
https://www.alighting.cn/2011/10/19 14:23:12
利用mocvd系统在al2o3衬底上生长ingan材料和ingan/gan量子阱结构材料。研究发现,ingan材料中in组份几乎不受tmg与tmi的流量比的影响,而只与生长温度有
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18
域校准方法。另外,为了避免led一致性差异和环境温度变化及工作时间对led主波长和色品坐标造成的影响,提出利用一组xyz色度传感器实时测量并反馈三基色led色品坐标的方法。该方法通过
https://www.alighting.cn/resource/20110920/127110.htm2011/9/20 13:45:18
对gainp2材料的表面形貌和固相组分的影响.结果表明,当gainp2材料的生长温度为650～680℃,生长速率为25～35nm/min,ⅴ/ⅲ为180～220时,获得了满足级联电
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:55:26
料特性进行了表征,分析研究了生长温度、ⅴ/ⅲ比、过渡层等对外延层的影响.并且获得了与gasb衬底晶格失配度较低的表面光亮的晶体质量较好的inassb外延层
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:46:39
件光学特性的影响。初步的研究结果表明:热处理后的直径为3μmps微球层可将限制在玻璃衬底中的部分光耦合到前向外部空间,并将oleds器件正方向的发光亮度(效率)提高大约9
https://www.alighting.cn/resource/20110908/127174.htm2011/9/8 11:41:29
在相同的腐蚀温度下,通过控制对蓝宝石衬底的化学腐蚀时间,以研究其对gan光学性质的影响。测试结果表明:对蓝宝石衬底腐蚀50 min后,外延生长的gan薄膜晶体质量及光学质量最优,
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127200.htm2011/9/5 10:19:25
