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cree和纽约研究，经济进步，技术，工程与科学中心(又称纽约州creates)上周联手在奥尔巴尼纽约州立大学理工学院完成了第一批碳化硅测试晶片。新工厂将成为世界上第一个生产20
https://www.alighting.cn/news/20191101/164814.htm2019/11/1 9:56:26
2019年5月14日，美国北卡罗莱纳州达勒姆讯 – cree, inc. (nasdaq: cree) 作为sic碳化硅半导体的全球引领者，成为大众汽车集团(volkswage
https://www.alighting.cn/news/20190515/161917.htm2019/5/15 13:46:06
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能，其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段.
https://www.alighting.cn/2014/10/13 13:38:36
在si衬底上生长了gan基led外延材料，分别转移到新的硅基板和铜基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。
https://www.alighting.cn/2015/3/3 10:32:36
今年，随着硅衬底技术的不断发展，sic、蓝宝石、硅这三种不同的led芯片衬底技术路线早已摆开阵势，以高技术含量与低成本为噱头，展开激烈交锋。在这场技术大战中，谁会成为赢家，最终主
https://www.alighting.cn/news/20120521/89252.htm2012/5/21 13:36:20
计自动化工具)，以实现科锐碳化硅衬底氮化镓 mmic 加工性
https://www.alighting.cn/pingce/20120718/122287.htm2012/7/18 9:41:18
科锐功率器件与射频(rf)首席技术官 john palmour 表示：“碳化硅双极型(bipolar)器件的发展长期以来受制于基面位错引起的正向电压衰减。该款低基面位错材料能够用
https://www.alighting.cn/news/20120919/113213.htm2012/9/19 15:00:25
目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上gan基led专利技术，美国cree公司垄断了sic衬底上gan基led专利技术。因此，研发其他衬底上的gan基led生产技术成为国际上的一个热
https://www.alighting.cn/resource/20100701/129051.htm2010/7/1 0:00:00
术路线，打破蓝宝石衬底和碳化硅衬底半导体照明技术的垄断局面，实现了我国led照明产业从“中国制造”到“中国创造”的转
https://www.alighting.cn/news/news/20101231/n384429917.htm2010/12/31 17:57:44
led领域的市场领先者科锐公司日前宣布推出高品质、低微管的150毫米 4h n型碳化硅外延片。科锐通过推出更大直径的外延片，从而继续引领碳化硅材料市场的发展。此项最新技术能够降
https://www.alighting.cn/news/2012911/n735043325.htm2012/9/11 10:30:55
