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示,inp晶体在二氧化硅间隙中的生长是均匀的,具有较好的结晶质量;高介电常数的inp的填充使人工欧泊光子晶体的光子禁带效应增强,反射峰移向长波长区.光学特性检测结果与理论计算值得到较
https://www.alighting.cn/resource/20130509/125625.htm2013/5/9 10:41:41
样，高亮度led也未能摆脱众多家庭和应用中常见的三端双向可控硅(triac) 调光器。本文将介绍一种具成本优势的高亮度led (hb led) 调光方
https://www.alighting.cn/resource/20130506/125646.htm2013/5/6 15:13:18
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结led。观察了siled发
https://www.alighting.cn/2013/4/28 10:30:13
利用外延片焊接技术,把si(111)衬底上生长的gan蓝光led外延材料压焊到新的si衬底上.在去除原si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构gan蓝光led.与外延材料未转移
https://www.alighting.cn/resource/20130422/125688.htm2013/4/22 13:10:12
提出一种快速评价led可靠性的有效方法。通过测试led样品的伪失效寿命,结合minitab软件进行数据分析,确定全部样品的伪失效寿命服从二参数的威布尔分布。通过计算威布尔分布尺
https://www.alighting.cn/resource/20130416/125719.htm2013/4/16 11:17:51
将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(gan)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对
https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00
采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此基础上外延生长出了gan基发光二极管(led)外
https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15
本文提出了一种基于mems的led苍片封装技术，利用体硅工艺在硅基上形成的鲫槽作为封装led芯片的反射腔。分析了反射腔对libel)的发光强度和光束眭能的影响，分析结果表明废反射
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125825.htm2013/3/25 11:15:34
一份出自中国照明学会led灯具设计技术高级培训班的介绍《led电源驱动与控制》，是由华润矽威科技（上海）有限公司的颜重光/高工整理编写的，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详情。
https://www.alighting.cn/resource/20130314/125883.htm2013/3/14 14:00:20
本论文目标就是以方法简便为原则，探索无污染、低成本的提高gan 材料晶体质量的方法。在具体的工作中，我们系统研究了采用图形衬底技术、原位sinx 纳米掩膜技术等方法生长gan 薄膜
https://www.alighting.cn/2013/3/8 10:33:11
