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利用方势阱模型对inxga1-xn/ganmqws结构的光特性进行了量子力学定性理论分析.并在mo源流量恒定条件下,在570℃~640℃范围内进行了不同生长温度的多量子阱制备实
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127050.htm2011/9/30 10:32:39
器，直管形荧光灯电子镇流器，电子调光技术与可调光电子镇流器，冷阴极荧光灯电子镇流器，高强度放电灯电子镇流
https://www.alighting.cn/resource/2011/9/20/165250_56.htm2011/9/20 16:52:50
本文以一个专业生产荧光灯用电子镇流器的美国独资公司标准化工作者的角度论述当今全球照明电子镇流器两大标准体系iec与ansi/ul及其衍生的en标准，中国的国标和ccc认证以及c
https://www.alighting.cn/resource/2011/9/20/154336_76.htm2011/9/20 15:43:36
通过分析影响电子溢出的因素,建立多量子阱的物理模型,得到溢出电流表达式.研究了外加电压与极化效应对溢出电流的影响,认为极化效应使能带弯曲,电子溢出量子阱,溢出电流大幅度增加.考
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:28:20
gan基led的表面电流扩展对于器件的特性起着很重要的作用。制作环状n电极的器件在正向电压、总辐射功率、器件老化等特性方面较普通的电极都有很大的提高。通过一系列的实验对环状n电极和
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:18:40
本文主要利用x射线衍射和透射电子显微镜技术对蓝宝石衬底上生长的gan基led外延片的微结构进行了研究,主要研究工作为: 1.采用x射线衍射绝对测量法精确测量了gan薄膜的晶格参数,
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127130.htm2011/9/16 15:30:52
irs2530d是一款由ir公司新近推出的采用紧凑型8引脚、半桥驱动的荧光灯可调光电子镇流器控制用ic,irs2530d采用状态机控制方式来实现有关控制功能。irs2530d提
https://www.alighting.cn/2011/9/15 9:17:27
在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了ingan长周期多量子阱激光器结构.三轴晶x射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导gan激光器,激光器的腔面为ga
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127172.htm2011/9/9 8:46:06
、原子力显微镜、透射光谱以及光致发光光谱等表征技术,研究了zno/mgo多量子阱的结构、表面形貌和光致发光等特性.xrd以及扫描的结果表明多层膜样品具有高c轴择优取向并且与蓝宝石基
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127190.htm2011/9/6 14:26:27
为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管,在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的ingan/gan多量子阱发光二极管结构.通过对不同in组
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127201.htm2011/9/5 9:53:39
