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led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232833.html2011/8/19 1:07:00

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4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233025.html2011/8/19 23:25:00

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4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258547.html2011/12/19 10:59:07

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  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261510.html2012/1/8 21:47:10

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  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261521.html2012/1/8 21:47:42

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  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262683.html2012/1/29 0:37:42

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  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262693.html2012/1/29 0:38:17

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4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271785.html2012/4/10 23:33:32

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

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