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面有着巨大的应用潜力。然而,sic单晶价格昂贵,这就促使人们继续探讨在si衬底上异质外延sic薄
https://www.alighting.cn/resource/20130427/125659.htm2013/4/27 15:02:15
通过x射线衍射分析、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积(mocvd)的方法,在带有gan缓冲层的蓝宝石(al2o3
https://www.alighting.cn/resource/20130423/125683.htm2013/4/23 10:59:17
利用外延片焊接技术,把si(111)衬底上生长的gan蓝光led外延材料压焊到新的si衬底上.在去除原si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构gan蓝光led.与外延材料未转
https://www.alighting.cn/resource/20130422/125688.htm2013/4/22 13:10:12
采用金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备ga、p掺杂的zno薄膜,分别采用x射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测试、光致发光谱对样品进行表征。通过ga、p掺杂分别得到n、p型z
https://www.alighting.cn/2013/4/19 13:20:29
管(led)外延片;最终,进行芯片制造和测
https://www.alighting.cn/resource/20130411/125742.htm2013/4/11 11:59:01
一份《led芯片知识大了解》资料，分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/4/3 10:32:14
d芯片esd性能的影响机制，指出改善led芯片esd性能的关键方法，并介绍了外延改善led芯片esd性能的前沿研究情
https://www.alighting.cn/2013/3/29 9:56:19
介绍大功率白光led的一些相关专业知识，普及下对大功率白光led的专业知识，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/3/26 12:00:18
采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此基础上外延生长出了gan基发光二极管(led)外
https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15
采用x光双晶衍射仪分析了gan基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成gan-led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的gan-led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55
