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通过分析影响电子溢出的因素,建立多量子阱的物理模型,得到溢出电流表达式.研究了外加电压与极化效应对溢出电流的影响,认为极化效应使能带弯曲,电子溢出量子阱,溢出电流大幅度增加.考
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:28:20
gan基led的表面电流扩展对于器件的特性起着很重要的作用。制作环状n电极的器件在正向电压、总辐射功率、器件老化等特性方面较普通的电极都有很大的提高。通过一系列的实验对环状n电极和
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:18:40
本文主要利用x射线衍射和透射电子显微镜技术对蓝宝石衬底上生长的gan基led外延片的微结构进行了研究,主要研究工作为: 1.采用x射线衍射绝对测量法精确测量了gan薄膜的晶格参数,
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127130.htm2011/9/16 15:30:52
irs2530d是一款由ir公司新近推出的采用紧凑型8引脚、半桥驱动的荧光灯可调光电子镇流器控制用ic,irs2530d采用状态机控制方式来实现有关控制功能。irs2530d提
https://www.alighting.cn/2011/9/15 9:17:27
在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了ingan长周期多量子阱激光器结构.三轴晶x射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导gan激光器,激光器的腔面为ga
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127172.htm2011/9/9 8:46:06
、原子力显微镜、透射光谱以及光致发光光谱等表征技术,研究了zno/mgo多量子阱的结构、表面形貌和光致发光等特性.xrd以及扫描的结果表明多层膜样品具有高c轴择优取向并且与蓝宝石基
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127190.htm2011/9/6 14:26:27
为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管,在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的ingan/gan多量子阱发光二极管结构.通过对不同in组
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127201.htm2011/9/5 9:53:39
利用lp-mocvd生长了不同周期的algainp/gainp mqw样品,并测量了它们的拉曼光谱。由于样品包括了掺杂的电流扩展层和欧姆接触层以及上、下限制层,拉曼光谱中观察到了与
https://www.alighting.cn/resource/20110816/127308.htm2011/8/16 11:30:27
吹断路器;真空断路器;六氟化硫断路器;六氟化硫封闭式组合电器;隔离开关、负荷开关及高压熔断器;套管;悬式绝缘子和支柱绝缘子;电力电缆线路;电容器;绝缘油和sf6气体;避雷器;电除尘
https://www.alighting.cn/resource/2011/7/25/145157_85.htm2011/7/25 14:51:57
该研究项目为上海浦东新区科技发展基金科技专项资助的项目，文中对40w的大功率白光led光源模块的封装技术进行了研究，采用36颗1w的蓝光芯片加yag荧光粉封装的白光led光源模
https://www.alighting.cn/resource/2011/7/8/181836_65.htm2011/7/8 18:18:36
