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本文揭示了一种简单并且经济的方法。通过自组装和干法刻蚀的方法制作粗化的氧化铟锡薄膜。运用原子力显微镜(afm)对表面形态和粗糙程度进行观察。测量各个样品的i-v特性、出光功率和出
https://www.alighting.cn/resource/20130319/125863.htm2013/3/19 10:05:03
近日，由中国科学院半导体研究所承担的北京市科委“氮化镓基led用蓝宝石图形衬底关键技术研究”项目顺利通过北京市科委组织专家组验收。
https://www.alighting.cn/news/20140320/97988.htm2014/3/20 11:57:50
日前，苏州新纳晶光电有限公司宣布首批“氮化镓led外延片”等产品批量试制成功。“氮化镓led外延片”是以氮化镓为原料采用纳米技术制成，厚度仅几微米，每个“玻璃片”可切割成2万个
https://www.alighting.cn/pingce/20111115/122867.htm2011/11/15 13:57:59
这次kyma新研制的高掺杂n+型氮化镓衬底的电阻率小于0.02欧姆厘米，导电能力得到极大提高，电阻率比他们以前的n型氮化镓衬底低两个数量级。此外，kyma也成功开发了高掺杂n+
https://www.alighting.cn/news/20110808/115929.htm2011/8/8 10:45:12
安森美半导体(on semiconductor)加入了领先纳米电子研究中心imec的多合作伙伴业界研究及开发项目，共同开发下一代硅基氮化镓(gan-on-si)功率器件。
https://www.alighting.cn/news/20121010/113599.htm2012/10/10 11:35:07
合肥彩虹蓝光led项目于2010年8月30日在合肥新站综合开发试验区正式动工建设，经过一年奋战, 实现了首批高亮度氮化镓基led外延片的一次试产成功。
https://www.alighting.cn/news/20110927/116152.htm2011/9/27 13:34:51
采用射频反应磁控溅射的方法,在经过氧化处理的al2o3(0001)基片上制备了具有良好调制结构的zno/mgo多层膜量子阱.利用x射线反射率测量、x射线衍射分析、电子探针显微分析
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127190.htm2011/9/6 14:26:27
据爱思强称，剑桥大学该套6x2英寸的ccs系统将配置为可以处理一片6英寸(150毫米)的晶片，实现在6英寸硅晶片上生长氮化镓外延，继续推进剑桥大学在led和电子设备方面的研发和实
https://www.alighting.cn/news/20130424/113313.htm2013/4/24 10:21:23
英国普莱思半导体(plessey)宣布推出新一代硅基氮化镓led。型号为plw114050，目前正在出样，这是plessey该系列中首款入门级led照明产品。plessey提供被
https://www.alighting.cn/pingce/20131203/121664.htm2013/12/3 12:01:29
近年来，led照明产业每年以超过30%的增幅快速发展。特别是进入2014年，传统电光源产品全面后退，led照明终端应用渗透率不断提高。今年2月六部委联合发布《规划》，政府逐步推广应
https://www.alighting.cn/news/20141208/108276.htm2014/12/8 10:05:50
