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利用自制的在位监测系统,研究了用金属有机物化学气相外延法(mocvd)在蓝宝石衬底上生长GaN时,GaN低温缓冲层的生长压力对高温生长GaN外延层性能的影响规律.在位监测曲线及扫
https://www.alighting.cn/resource/20130625/125485.htm2013/6/25 16:38:58
本资料来源于2013新世纪led高峰论坛，是由晶能光电（江西）有限公司的孙钱/博士、硅外延研发副总裁主讲的关于介绍《硅衬底上氮化镓基垂直结构大功率led的研发及产业化》的讲义资
https://www.alighting.cn/2013/6/18 15:53:07
在si衬底上生长了GaN基led外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。研究了这两种基板GaN基led芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大
https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39
发光二极管(led)低的外量子效率严重制约了led 的发展，本文主要介绍了提高GaN 基led 外量子效率途径的最新进展，包括芯片非极性面/半极性面生长技术，分布布拉格反射
https://www.alighting.cn/resource/20130531/125543.htm2013/5/31 11:31:30
自上世纪90年代初中村修二发明高亮度蓝光led以来，基于GaN基蓝光led和黄色荧光粉组合发出白光方式的半导体照明技术在世界范围内得到了广泛关注和快速发展。迄今为止，商品化白
https://www.alighting.cn/resource/2013/5/29/16025_26.htm2013/5/29 16:00:25
分析了脉冲激光作用下GaN的衬底剥离过程。利用简化的一维模型,给出一种比较直观的脉冲激光辐照下GaN/al2o3材料温度分布的解析形式,得到了分界面温度和脉冲宽度的关系。表明,
https://www.alighting.cn/resource/20130527/125565.htm2013/5/27 10:24:56
在有效质量近似和变分原理的基础上,选取含两个变分参数的波函数,研究了纤锌矿结构的gan/alxga1-xn单量子点中类氢施主杂质体系的结合能随量子点(qd)尺寸以及杂质在量子点中位
https://www.alighting.cn/2013/5/24 10:08:12
石,缓冲层为aln,n型层采用厚度为0.8μm的si掺杂al0.3ga0.7n形成窗口层,i型层为0.18μm的非故意掺杂的GaN,p型层为0.15μm的mg掺杂GaN。采用cl2、a
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13
主要是以氧化镓为原料,通过气相沉积法,制备出GaN纳米线和纳米带.通过x-射线衍射(xrd),扫面电镜(sem)和高分辨透射电镜(hrtem)等测试手段对其形貌进行了表征和分析
https://www.alighting.cn/resource/20130521/125588.htm2013/5/21 10:42:04
通过本报告的分析，可以看出中村修二先生在蓝光led、半导体照明及其他氮化物半导体材料器件上引领着技术的发展方向，做出了一系列关键性的贡献，被誉为“蓝光之父”。因此，掌握中村修二教
https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:03:09
