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来自维易科公司的关于《外延mocvd基本原理及led各层结构》的技术资料，现在分享给大家。
https://www.alighting.cn/2013/3/5 11:54:13
本报告该部分的内容先对led外延和芯片做一个简单的技术介绍，按照不同技术对led外延和芯片技术做了详细分类，并通过定性、定量以及趋势图表的分析方法对led外延和芯片方面的相关专
https://www.alighting.cn/resource/20130508/125628.htm2013/5/8 17:04:39
昭和电工宣布，将功率半导体器件用4英寸sic外延晶圆(也叫磊晶)的产能提高到了原来的2.5倍。
https://www.alighting.cn/2012/9/10 13:34:55
在室温条件下,采用磁控溅射方法在蓝宝石(0001)衬底上制备了外延的zno薄膜。采用原子力显微镜(afm)、x射线衍射仪(xrd)、可见-紫外分光光度计系统研究了zno薄膜微观结
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127198.htm2011/9/5 14:35:18
一份来自新世纪有奖征稿活动的关于《asm809a03银胶固晶机的中文说明书》的技术资料，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/4/12 11:55:15
别在led衬底、外延、芯片的核心技术研究方面，已取得突破性成果。对led发展提出了不同的技术路线和“终极目标”的技术方案，以及提出新的发光材料。为此，本文除简要描述半导体照明上游产
https://www.alighting.cn/2013/8/13 9:58:57
目的观察准分子激光原位角膜磨镶术(1aserinsitukeratomilensis，lasik)后早期眩光对暗视下对比敏感度的影响。方法采用mesotestiib对比敏感度
https://www.alighting.cn/resource/20091225/V1047.htm2009/12/25 12:04:33
应用散热器目的是增大发热表面散热量, 在以下讨论中, 一般将空气作为冷却剂。在大多数情况下,热源通过固体表面与冷却空气之间的界面进行热交换, 同时该界面也是散热的最大障碍。散热器则
https://www.alighting.cn/2013/6/13 16:13:24
利用低压金属有机化学汽相淀积(mocvd)设备在ge衬底上生长gaas外延层。通过改变gaas过渡层的生长温度对gaas外延层进行了表征,利用扫描电镜(sem)和x射线衍射仪研
https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:41:44
面有着巨大的应用潜力。然而,sic单晶价格昂贵,这就促使人们继续探讨在si衬底上异质外延sic薄
https://www.alighting.cn/resource/20130427/125659.htm2013/4/27 15:02:15
