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提出了利用热管技术对大功率led(light emitting diode)进行散热的构想，设计了led热管散热器的原理结构，并对其传热机理、传热路线和各传热阶段的热阻进行了定
https://www.alighting.cn/resource/20130308/125927.htm2013/3/8 11:27:35
本论文目标就是以方法简便为原则，探索无污染、低成本的提高gan 材料晶体质量的方法。在具体的工作中，我们系统研究了采用图形衬底技术、原位sinx 纳米掩膜技术等方法生长gan 薄
https://www.alighting.cn/2013/3/8 10:33:11
随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，如波长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%，已接近极
https://www.alighting.cn/resource/20130304/125965.htm2013/3/4 15:03:29
d屏幕的工程样品，还并未走入实际应用的阶段。但oled屏幕却具备了许多lcd不可比拟的优
https://www.alighting.cn/resource/20130222/126023.htm2013/2/22 11:31:57
在合适的衬底基片上生长结晶轴相互一致的结晶层的技术。用于制作没有杂质和缺陷的结晶层。包括在基片上与气体发生反应以积累结晶层的vpe(气相生长)法、以及与溶液相互接触以生长结晶
https://www.alighting.cn/resource/20130201/126068.htm2013/2/1 16:14:51
0sccm时制备的zno薄膜具有较好的结晶质量、较高的光学透过率(≥80%)、较高的氧含量(～40.71%)、较快的生长速率(～252nm/h)和较好的发光特性:450～580nm附近发
https://www.alighting.cn/resource/20130128/126105.htm2013/1/28 13:14:42
采用金属有机化学汽相沉积生长法(mocvd),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(10
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126124.htm2013/1/23 14:41:54
采用射频磁控溅射方法分别在蓝宝石(al2o3)(0001)和硅(100)衬底上制备zno薄膜.通过x-光衍射测量与分析表明两者都沿c轴方向生长,在al2o3衬底上的zno薄膜结
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126126.htm2013/1/23 13:45:44
对采用磁控溅射方法生长在玻璃和柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)塑料上的氧化铟锡(ito)薄膜的结构、光学和电学特性进行了对比研究。实验结果证明,完全可以采用磁控溅射的方法在柔性
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126128.htm2013/1/23 10:29:32
子层外延生长法。讨论并比较了各种制备方法的优缺
https://www.alighting.cn/2013/1/23 10:04:19
