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日本成功开发出嵌入锗量子点的led

近日,日本东京都市大学综合研究所纳米科学研究中心成功开发出采用锗(ge)量子点的发光元件。

  https://www.alighting.cn/news/20100526/105710.htm2010/5/26 0:00:00

衬底ganled研究进展

由于具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力,gan/si器件成为一个研究热点。然而, gan与si之间的热失配容易引起薄膜开裂这是限

  https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47

衬底gan垂直结构高效led的最新进展

附件为《衬底gan垂直结构高效led的最新进展》pdf,欢迎大家下载学习!

  https://www.alighting.cn/resource/20150626/130459.htm2015/6/26 10:43:40

晶能光电融资扩产大功率led芯片

作为江西省led产业龙头企业和全球led技术的领导者,晶能光电积极在高新区布局led产业,吸引了多家企业入区配套,形成了led产业在高新区的集聚。目前其新一轮的融资已经完

  https://www.alighting.cn/news/2013513/n091151630.htm2013/5/13 13:22:36

科锐推出650v碳化肖特二极管c3dxx065a系列

近日,碳化功率器件领域的市场领先者cree公司(nasdaq: cree)日前宣布推出最新z-rec?650v 结型肖特势垒(jbs)二极管系列。

  https://www.alighting.cn/pingce/20110111/123106.htm2011/1/11 17:17:17

中科院物理所独创氧化锌单晶材料及光电子器件技术

型n-zno/i-mgo/p-si双异质结p-i-n紫外探测器结构,研制成功sizno可见盲紫外探测器原理型器件。其独创的氧化锌单晶材料生长工艺以及新型器件结构设计与制备技术为我国在光电子技术领域的自主创

  https://www.alighting.cn/resource/20090610/128702.htm2009/6/10 0:00:00

台湾绿能称下季度晶圆或将再涨价

我国台湾地区太阳能晶圆大厂绿能透露,目前订单爆满,几乎已是产能的两倍,在产品不足情况下,下个季度不排除晶圆再涨价的可能。

  https://www.alighting.cn/news/20100823/106236.htm2010/8/23 0:00:00

钻石底碳化 led的梦幻材(下)

碳化(sic)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。

  https://www.alighting.cn/resource/20110714/127426.htm2011/7/14 17:32:28

led照明迎来新增长 芯片原材料和铟金属受益

led 的核心材料是(ga)与砷(as)、磷(p)、铟的化合物制成的半导体芯片的发光材料。目前,于宽禁带半导体材料氮化(gan)和铟氮化稼(ingan)的是最具有商业应用价

  https://www.alighting.cn/news/20140103/98638.htm2014/1/3 15:16:29

晶能光电举行新一代大功率led芯片产品发布会

6月12日,晶能光电(江西)有限公司新一代大功率led芯片产品发布会在广州香格里拉大酒店举行。晶能光电此次共推出包含28*28、35*35、45*45和55*55在内的四款

  https://www.alighting.cn/news/2012627/n168540848.htm2012/6/27 16:58:02

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