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LED芯片的生产离不开镓铟等稀有金属，而无线通信又离不开锗硅等金属，随着智能LED照明行业的兴起和发展，对于稀有金属的消费量有望逐步释放。
https://www.alighting.cn/news/2014128/n442867847.htm2014/12/8 13:42:30
美国化工业龙头陶氏化学(dow chemical co.)子公司dow electronic materials宣布，其位于南韩天安(cheonan)的三甲基镓(tmg)新厂已
https://www.alighting.cn/news/20101104/107836.htm2010/11/4 0:00:00
将硅衬底上外延生长的氮化镓基LED 薄膜，通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板，获得了垂直结构蓝光LED 器件，并对其老化特性进
https://www.alighting.cn/2014/11/6 10:24:34
石衬底剥离, 结合金属熔融键合技术, 在300℃中将gan 基LED 转移至高电导率和高热导率的硅衬底, 制备出了具有垂直结构的gan 基LED, 并对其电学和光学特性进行了测
https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48
对ingan/gan多量子阱蓝光和绿光LED进行了室温900 ma电流下的电应力老化,发现蓝光LED老化到24 h隧穿电流最小,绿光LED到6 h隧穿电流最小;同时,两种le
https://www.alighting.cn/2013/4/10 11:40:42
gan是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，gan具有高的电离度，在ⅲ—ⅴ族化合物中是最高的(0.5或0.43)。在大气压力下，gan晶体一般是六方纤锌矿结构
https://www.alighting.cn/resource/20051216/128915.htm2005/12/16 0:00:00
碳化硅(sic)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127427.htm2011/7/14 17:29:12
当然gan与si 衬底之间存在热失配、晶格失配等问题，很容易出现龟裂现象，要在硅衬底上生长高质量的氮化镓基LED确实是一个严峻的挑战。在这方面处于世界前列的晶能光电认为，硅衬
https://www.alighting.cn/news/20111117/90028.htm2011/11/17 10:11:23
研究了不同能量的电子束辐照对gan基发光二极管(light emitting diode,LED)发光性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射,对gan基LED外延片进
https://www.alighting.cn/2012/9/18 19:09:14
主要是以氧化镓为原料,通过气相沉积法,制备出gan纳米线和纳米带.通过x-射线衍射(xrd),扫面电镜(sem)和高分辨透射电镜(hrtem)等测试手段对其形貌进行了表征和分析
https://www.alighting.cn/resource/20130521/125588.htm2013/5/21 10:42:04
