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据了解，晶能光电长期致力于研制gan-on-si mocvd生长技术，该公司总部坐落于江西南昌，本次演示的是一款冷白光led，在350ma电流下光输出超过100流明，采用1x1mm
https://www.alighting.cn/news/20090921/120400.htm2009/9/21 0:00:00
采用熔融的koh溶液腐蚀蓝宝石衬底,获得具有三角形图案的腐蚀坑形貌,并对腐蚀坑的三角形形状给出了理论解释。在不同温度和不同的腐蚀时间进行对比结果分析,发现在280℃下腐蚀6
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127222.htm2011/8/31 15:44:51
用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料，这样可以大大提高外延膜的晶体质量，降低位错密度，提高器件工作寿命，提高发光效率，提高器件工作电流密度。可是，制备氮化镓体单晶材
https://www.alighting.cn/resource/20110211/128058.htm2011/2/11 10:38:56
2007年3月19日，澳大利亚bluglass公司声称观察到玻璃衬底gan led的短暂发光。
https://www.alighting.cn/resource/20070320/128486.htm2007/3/20 0:00:00
为了降低si衬底gan基led的开启电压及工作电压，本文提出了一种新型通孔结构发光二级管，并提出一种电路有限元模型，分析此结构发光二极管的注入电流在有源区内的分布情况。
https://www.alighting.cn/2013/8/20 13:57:10
据台媒日前报道，台湾地区数家图形化蓝宝石衬底(pss)生产商一季度需求旺盛，已接近满负荷生产。锐捷科技表示，公司3月份订单增长强劲，预计这一增长势头将延续到4月份;市场对4英
https://www.alighting.cn/news/20150401/84004.htm2015/4/1 9:18:54
介绍了在蓝宝石 /氮化铝复合衬底上外延生长碳化硅薄膜材料的工艺技术 .通过在蓝宝石衬底上预淀积一层薄的氮化铝缓冲层使碳化硅薄膜的成核和黏附性得到很大的改善 .用多种x光衍射方法对
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127393.htm2011/7/26 18:35:12
6月10日，在广州举行的2013年led外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底led研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率led的研发及产业化”的报
https://www.alighting.cn/news/2013617/n057752776.htm2013/6/17 15:39:40
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结led。观察了sile
https://www.alighting.cn/2013/4/28 10:30:13
近日，三星尖端技术研究所和首尔大学宣布开发出了第一个由非晶玻璃衬底制造的发光二极管。
https://www.alighting.cn/news/20111212/99724.htm2011/12/12 15:30:51
