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体质量。首先在合适的衬底上(蓝宝石或碳化硅)沉积一层gan,再在其上沉积一层多晶态的 sio掩膜层,然后利用光刻和刻蚀技术,形成gan窗口和掩膜层条。在随后的生长过程中,晶圆gan首
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
底切除，再连接上传统的四元材料，制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 ⑤ algainn碳化硅（sic）背面出光法。美国cree公司是全球唯一采用sic衬底制造algain
http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222027.html2011/6/19 22:45:00
体照明领域的最早申请日差距最大的相差24年，最小也有5年，普遍在10年左右。上游产业中的传统技术手段如芯片电极、划片、封装材料、外延缓冲层、碳化硅衬底的时间差距最大，一般在15年到2
http://blog.alighting.cn/zhongguozhiguang/archive/2010/12/30/124591.html2010/12/30 12:57:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126725.html2011/1/9 19:47:00
底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料，制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化硅（sic）背面出光法： 美国cre
http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115541.html2010/11/20 23:42:00
http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114843.html2010/11/18 0:13:00
http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115542.html2010/11/20 23:43:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258628.html2011/12/19 11:09:50
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261445.html2012/1/8 21:33:10
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262616.html2012/1/29 0:33:42
