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本文阐述对一种采用微晶芯片制成的管型基元led的研究,这种管型基元led结构是将n个≤25μm×25μm的芯片贴装在透光导热良好的基片上,通过串并联后再与梳篦状结构的导电和导
https://www.alighting.cn/resource/20110524/127562.htm2011/5/24 12:38:10
晶能光电此次共推出包含28 *28、35*35、45*45和55 *55在内的四款硅基大功率芯片，发光效率已超过120lm/w。
https://www.alighting.cn/pingce/20120614/122391.htm2012/6/14 10:06:35
多芯片封装发光二极管的技术是：即再一个器件内（可以是圆，方，矩，长条形，椭圆等几何形状）封装几十，几百，至上千个led芯片，封装的芯片可以是常用的8—15mil小芯片，也可以是0
https://www.alighting.cn/resource/20080624/128604.htm2008/6/24 0:00:00
为改善gan 基发光二极管的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分子激光器脉冲激光能量密度为400mj/ cm2 的条件下, 将gan 基led 从蓝宝
https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48
日前，一期投资1亿美元的发光二极管项目落户沈阳浑南新区。
https://www.alighting.cn/news/20060914/102955.htm2006/9/14 0:00:00
近日，日本东京都市大学综合研究所硅纳米科学研究中心成功开发出采用锗（ge）量子点的硅发光元件。
https://www.alighting.cn/news/20100526/105710.htm2010/5/26 0:00:00
由于硅具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力，gan/si基器件成为一个研究热点。然而, gan与si之间的热失配容易引起薄膜开裂这是限
https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47
日前，比利时研究中心(imec)推出一项联合开发计划(iiap：industrial affiliation program)，目标是降低氮化鎵(gan)技术成本，采用大直径的硅
https://www.alighting.cn/news/20090813/93153.htm2009/8/13 0:00:00
2012年8月30日——爱思强股份有限公司今天宣布，昭和电工(日本，秩父)在其现有爱思强设备基础上，增购一套热壁碳化硅化学气相沉积行星式反应器。
https://www.alighting.cn/news/20120831/113006.htm2012/8/31 14:19:03
采用x光双晶衍射仪分析了gan基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成gan2led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的gan2led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的
https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1058.htm2010/1/18 11:18:27
