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通过低压金属有机化学气相外延 (lp movpe)工艺生长了algainas应变补偿量子阱材料,通过x射线双晶衍射、光荧光、二次离子质谱的测试分析得到了材料生长的优化工艺参数,降
https://www.alighting.cn/2011/10/8 12:00:18
利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型zno薄膜.实验采用二乙基锌作为锌源,高纯氧气和五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源.实验表明生长温度为400～450℃
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127048.htm2011/9/30 10:49:25
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积lpmocvd设备,在(100)面偏(110)面9°的ge单晶衬底上外延生长了gainp2材料,研究了生长温度、ⅴ/ⅲ比、生长速率等生长参数
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:55:26
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积lp-mocvd设备,在(100)面gasb单晶衬底上外延生长了inassb材料.用x射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:46:39
氢化物气相外延(hvpe)是制备氮化镓(gan)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了gan体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技术原
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127162.htm2011/9/13 9:04:57
在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了ingan长周期多量子阱激光器结构.三轴晶x射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导gan激光器,激光器的腔面为gan的
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127172.htm2011/9/9 8:46:06
目前，国内大部分的外延芯片企业涉及到led显示屏的领域，显示屏领域成为国内led芯片企业的重要的应用终端，那么如何提高led显示屏的发光效率成为一个重要的课题。
https://www.alighting.cn/resource/20110907/127181.htm2011/9/7 17:10:36
在蓝宝石基片上,以ceo2为缓冲层制备了高质量的双面tl2ba2cacu2o8(tl-2212)超导薄膜。以金属铈靶作为溅射源生长了c轴取向的ceo2缓冲薄膜,并对ceo2薄膜进
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127193.htm2011/9/6 13:37:42
为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管,在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的ingan/gan多量子阱发光二极管结构.通过对不同in组
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127201.htm2011/9/5 9:53:39
为了提高gan基发光二极管(led)的外量子效率,在蓝宝石衬底制作了二维光子晶体.衬底上的二维光子晶体结构采用激光全息技术和感应耦合等离子体(icp)干法刻蚀技术制作,然后采用金
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127207.htm2011/9/2 18:06:05
