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为了降低si衬底gan基led的开启电压及工作电压，本文提出了一种新型通孔结构发光二级管，并提出一种电路有限元模型，分析此结构发光二极管的注入电流在有源区内的分布情况。
https://www.alighting.cn/2013/8/20 13:57:10
利用低压金属有机化学汽相淀积(mocvd)设备在ge衬底上生长gaas外延层。通过改变gaas过渡层的生长温度对gaas外延层进行了表征,利用扫描电镜(sem)和x射线衍射仪研
https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:41:44
本篇论文讨论了gt公司的oht蓝宝石材料等级检测技术，并重点介绍了gt公司如何运用oht技术，确保了其asft?长晶炉生产的蓝宝石材料满足或超越led级别的材料质量要求。
https://www.alighting.cn/2013/9/6 15:34:38
这份是专门针对全球及中国蓝宝石晶棒产业的深度报告，研究中心采用客观公正的方式对蓝宝石晶棒产业的发展走势进行了深度分析阐述，方便客户进行蓝宝石晶棒行业发展规划，投资决策，本项目在运
https://www.alighting.cn/2012/3/5 17:46:44
本文採取由上而下的方式，阐述亚洲蓝宝石长晶产业的趋势变化与厂商佈局策略，首先针对全球蓝宝石长晶产业现况与近年趋势加以说明;其次选取亚洲投入最为积极的韩国、中国与台湾的蓝宝石长晶产
https://www.alighting.cn/2012/3/5 17:05:18
图形轨迹功能的使用，可极大地方便用户对电脑灯的x/y轨迹进行图形化控制，如画圆、画线、打波浪等效果。而
https://www.alighting.cn/resource/20071019/V12856.htm2007/10/19 15:17:19
同参数的高温退火后,这些梯形台柱将变小,形成梯形纳米环,或分解为较小的纳米柱及其团簇结构等。分析表明:zno混合多晶薄膜的形成,以及表面纳米台柱的演变,与si(001)衬底、较低
https://www.alighting.cn/resource/20111020/126988.htm2011/10/20 14:37:15
目前led 器件已达到的光效为150lm/w,与理论预测的指标300lm/w 还存着在很大的差距,光效仍有很大的提升空间。
https://www.alighting.cn/resource/20140627/124484.htm2014/6/27 11:03:45
将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(gan)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对
https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00
对比el谱,发现pssleds拥有更强的光功率和更窄的半峰宽，说明pssleds具有较高的晶体质量。
https://www.alighting.cn/resource/20141210/123951.htm2014/12/10 10:10:07
