站内搜索
3)衬底上生长的algan/gan超晶格材料的微观结构、光吸收性质和发光特性。x射线衍射结果表明,gan基材料均为纤锌矿六方结构,薄膜具有良好的结晶质量,薄膜生长沿c轴择优取
https://www.alighting.cn/resource/20130423/125683.htm2013/4/23 10:59:17
利用外延片焊接技术,把si(111)衬底上生长的gan蓝光led外延材料压焊到新的si衬底上.在去除原si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构gan蓝光led.与外延材料未转
https://www.alighting.cn/resource/20130422/125688.htm2013/4/22 13:10:12
采用金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备ga、p掺杂的zno薄膜,分别采用x射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测试、光致发光谱对样品进行表征。通过ga、p掺杂分别得到n、p
https://www.alighting.cn/2013/4/19 13:20:29
采用自制低压金属有机源化学气相沉积设备,在(100)面gasb单晶衬底上生长了ⅱ型inas/gasb超晶格材料.利用双晶x射线衍射、光学显微镜、原子力显微镜和光致发光谱等分析手段
https://www.alighting.cn/resource/20130418/125702.htm2013/4/18 14:00:59
本文研究了icp刻蚀蓝宝石中工艺参数对蓝宝石刻蚀速率的影响规律,所用气体为cl2/bcl3,研究结果表明,蓝宝石的刻蚀速率随着icp功率、rf功率和气体总流量的增大单调增大;随
https://www.alighting.cn/resource/20130416/125723.htm2013/4/16 10:49:04
一份来自新世纪led有奖征稿活动的关于《非极性gan薄膜及其衬底材料》的资料，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/4/12 13:01:03
采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行icp干法刻蚀c面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(pss);然后,在pss上进行mocvd制作gan基发光二极
https://www.alighting.cn/resource/20130411/125742.htm2013/4/11 11:59:01
分别研究了在聚合物衬底和金属衬底上制备foled的工艺、结构及性能。在聚合物衬底上成功制备了2.8inch(7.112cm)的128×64单色foled显示屏,在驱动电压12v时
https://www.alighting.cn/resource/20130411/125746.htm2013/4/11 10:42:17
析,可知在蓝宝石衬底和环氧树脂的界面间涂敷一层硅橡胶能改善光的折射率。改进光学器件的封装技术,可以大幅度提高大功率led的出光率(光通
https://www.alighting.cn/2013/4/10 13:07:29
将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(gan)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对
https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00
