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中非首家照明技术转移中心落成

24日,由中国科技部支持,北京半导体照明科技促进中心与肯尼亚马查克斯郡政府支持建立的“中肯半导体照明技术转移中心”宣告落成。

  https://www.alighting.cn/news/20150428/84935.htm2015/4/28 10:24:12

蓝宝石表面处理对氮化镓光学性质的影响

采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用lp-mocvd在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长gan薄膜.利用gan薄膜光学透射谱,结合椭偏测量得到的折射

  https://www.alighting.cn/resource/20110726/127394.htm2011/7/26 15:17:59

mocvd生长gan和gan:mg薄膜的对比研究

对在sic衬底上采用mocvd方法制备的gan和gan:mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱的进行了对比研究。

  https://www.alighting.cn/resource/20150316/123470.htm2015/3/16 14:53:52

mocvd生长gan和gan:mg薄膜的对比研究

对在sic衬底上采用mocvd方法制备的gan和gan:mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱进行了对比研究。

  https://www.alighting.cn/resource/20141223/123875.htm2014/12/23 11:11:59

欧司朗成功提升红色薄膜led效率

欧司朗光电半导体的开发人员成功将红色薄膜led的效率提升 30%,又一次刷新了实验室纪录。最新一代薄膜芯片得益于优化的芯片平台,这平台更备潜力让芯片有进一步提升的机会。而效率的大

  https://www.alighting.cn/news/2010722/V24472.htm2010/7/22 11:51:23

si基ceo_2薄膜的发光特性

利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的ceo2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126965.htm2011/10/25 14:41:00

mocvd法制备cu掺杂zno薄膜

本文采用mocvd法在c-al2o3 衬底上生长本征zno和cu掺杂zno薄膜,利用cu(tmhd)为cucu?掺杂源,通过控制cu源温度(tcu)来控制cu掺杂条件,并利用x射

  https://www.alighting.cn/2014/12/17 11:43:13

moblant 灯与灯的能量转移

趣发现有介绍过很多。而它的另一特色功能就是“能量转移”,简单的说就是相同的两个“moblant”通过感应传递电能,与他人分享你的能量。设计:zibbibbo lab

  http://blog.alighting.cn/130803/archive/2012/6/20/279344.html2012/6/20 14:18:06

cree放缓向较大晶圆制造转移的步伐

cree已经开始了从100 mm (4英寸)到150 mm (6英寸)晶圆制造的转移,此举将有助于大力提升产量及生产力,并降低芯片价格。但cree首席执行官chuc

  https://www.alighting.cn/news/201227/n396137338.htm2012/2/7 9:51:36

南昌积极承接广东led产业转移

动优势,抓住led产业转移的机遇,积极吸引承接广东沿海led生产企业,计划建设江西省首个led产业创新示范园,吸引更多的led产业上下游配套企业入驻,进一步构筑园区产业发展升级的

  https://www.alighting.cn/news/20150325/83760.htm2015/3/25 9:37:56

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