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led封装技术目前主要往高发光效率、高可靠性、高散热能力与薄型化几个方向发展，主要的亮点为陶瓷基板封装、flip chip、荧光粉涂布技术。
https://www.alighting.cn/pingce/20120807/122378.htm2012/8/7 13:40:42
aixtron近日推出最新产品aix g5+，为其aix g5行星式反应器平台提供5x200 mm(8吋) 矽基氮化镓生长专用设备，可一次处理5片8吋晶圆。
https://www.alighting.cn/pingce/20120725/122453.htm2012/7/25 9:45:19
n-9h是以氧化铝(al2o3)为基础的材料，具有高导热率和高热辐射率，通过辐射红外线来实现散热，因此，led照明中常用的散热铝基板所需要的散热片。
https://www.alighting.cn/pingce/20120717/122365.htm2012/7/17 13:38:00
tom dekker 表示：“与同频率范围的 gaas 电晶体相比，科锐0.25微米gan hemt裸芯片产品系列拥有更显著的增益、效率以及功率密度。更高的增益能够实现更高效率的综
https://www.alighting.cn/pingce/20120711/122143.htm2012/7/11 18:04:27
该产品在万邦独特的mcob封装技术上再次创新，采用陶瓷做为基板，大大提高了led的发光效率!经万邦多次研发测试，陶瓷镂空系列led球泡灯的整灯光效已经达到170lm/w。此外，万
https://www.alighting.cn/pingce/20120618/122307.htm2012/6/18 10:07:09
罗姆株式会开发出实现业界最小※正向电压(vf=1.35v)的第二代sic(silicon carbide：碳化硅)肖特基势垒二极管“scs210ag/am”(600v/10
https://www.alighting.cn/pingce/20120614/122390.htm2012/6/14 10:25:31
晶能光电此次共推出包含28 *28、35*35、45*45和55 *55在内的四款硅基大功率芯片，发光效率已超过120lm/w。
https://www.alighting.cn/pingce/20120614/122391.htm2012/6/14 10:06:35
该芯片仅1.1毫米，在电压低于3.1v电流350ma时发射功率达 614mw。面对全球液晶面板和照明系统对led芯片日益增长的需求，普瑞光电与东芝公司将进一步加快在这一领域的研发步
https://www.alighting.cn/pingce/2012521/n050140005.htm2012/5/21 16:53:28
议短短几个月后，两家公司共同研发出了行业顶级8英寸硅基氮化镓led芯
https://www.alighting.cn/pingce/20120521/122494.htm2012/5/21 15:07:16
v z-fet?碳化硅mosfet器件和三款z-rec?碳化硅肖特基二极管，能够提供创纪录的能效以及比传统技术更低的拥有成本，开创了新一代电源系
https://www.alighting.cn/pingce/20120514/122690.htm2012/5/14 9:35:49
