站内搜索
本工作对比研究了蓝宝石图形衬底(pss)和平面衬底(non-pss)上制备gan基45mil功率型led芯片的光电特性。相比较平面衬底，在pss衬底上制备的大功率芯片的发光效率提
https://www.alighting.cn/resource/20130305/125961.htm2013/3/5 10:44:44
发光二极管(led)低的外量子效率严重制约了led 的发展，本文主要介绍了提高gan 基led 外量子效率途径的最新进展，包括芯片非极性面/半极性面生长技术，分布布拉格反射
https://www.alighting.cn/resource/20130531/125543.htm2013/5/31 11:31:30
“2011上海国际新光源&新能源照明论坛”上松下电工株式会社takuya komoda向大家介绍《高效率低成本白光oled照明技术研发的进展》。
https://www.alighting.cn/resource/2011/6/13/15442_50.htm2011/6/13 15:44:02
一份来源于新世纪led有奖征稿活动的关于介绍《高效率led交通信号灯的二次光学设计》的技术资料，本文提供了一个对led 进行二次光学设计的方案。该设计在达到国家标准规定的le
https://www.alighting.cn/2013/4/17 11:36:30
且还能大幅节省电费。目前最常见的调光控制器是舍相(phase-cut)调光器，无论所提及的设备中实际是否包含三端双向可控硅(triac)器件,这类调光器通常都是指triac调光器。
https://www.alighting.cn/resource/2010326/V1095.htm2010/3/26 8:47:00
与高效节能”的真
https://www.alighting.cn/resource/2012/3/6/94735_42.htm2012/3/6 9:47:35
采用射频反应磁控溅射的方法,在经过氧化处理的al2o3(0001)基片上制备了具有良好调制结构的zno/mgo多层膜量子阱.利用x射线反射率测量、x射线衍射分析、电子探针显微分析
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127190.htm2011/9/6 14:26:27
为400mj/ cm2 的条件下, 将gan 基led 从蓝宝石衬底剥离, 结合金属熔融键合技术, 在300?? 中将gan 基led 转移至高电导率和高热导率的硅衬底, 制备出了具
https://www.alighting.cn/resource/2012/4/11/101149_25.htm2012/4/11 10:11:49
采用440nm短波长ingan/gan基蓝光led芯片激发高效红、绿荧光粉制得高显色性白光led，研究了不同胶粉配比对klv发光性能的影响。
https://www.alighting.cn/2015/1/26 14:58:55
采用440 nm短波长ingan/gan基蓝光led芯片激发高效红、绿荧光粉制得高显色性白光led,研究了不同胶粉配比对led发光性能的影响。
https://www.alighting.cn/resource/20141008/124238.htm2014/10/8 10:13:30
