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高压发光二极管(hv LED)芯片开发及产业化

d),其产业化光效已超过110lm/w;10μA下点亮没有暗区,体现出良好的电流扩展性;与传统dc LED相比,p-i-v(光输出功率-输入电流-正向压降)曲线趋势一致,输出光功率更集

  https://www.alighting.cn/resource/2011/6/20/162618_06.htm2011/6/20 16:26:18

内置数字调光解码器的多功能LED驱动器

6月9日下午,以“产业技术引领低碳照明生活”为主题的第三届照明产业最新技术及成果高峰论坛在琶洲国际会展中心A区白云会议室启幕。美国国家半导体中国华南区区域分销经理蔡紫珍向与会者展

  https://www.alighting.cn/resource/2011/6/12/11311_22.htm2011/6/12 11:31:01

LED照明产品脉冲群测试时干扰施加方式以及原理

pe 和大地是两个概念,电快速脉冲干扰是共模性质的,在标准提供的实验设置图中可以看到从试验发生器来的信号电缆芯线通过可供选择的耦合电容加到相应的电源线(l1、l2、l3、N 及p

  https://www.alighting.cn/resource/20150921/132834.htm2015/9/21 14:36:35

sp7611A的矿灯应用电路分析(图)

矿灯主要应用在煤矿,煤井和地下的工作场合,由于特殊的工作环境要求要绝对的安全,所以矿灯设计对安全的考虑非常重要。

  https://www.alighting.cn/resource/2007928/V12815.htm2007/9/28 11:10:19

牺牲Ni退火对硅衬底gAN基发光二极管p型接触影响的研究

本文通过在硅衬底发光二极管(LED)薄膜p-gAN表面蒸发不同厚度的Ni覆盖层,将其在N2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面Ni覆盖

  https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01

gAN氮化镓(gAllium Nitride)

由镓(gA)和氮(N)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365Nm),比硅(si)要宽3倍。利用该特性,gAN主要应用于光元件。通过混合铟(iN)和

  https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42

浅析:LED外延片介绍及质量辨别

良品的外延片就要开始做电极(p极,N极),接下来就用激光切割外延片,然后百分百分捡,根据不同的电压,波长,亮度进行全自动化分检,也就是形成LED晶片(方片)。然后还要进行目测,

  https://www.alighting.cn/resource/20110920/127115.htm2011/9/20 11:55:56

tpp7130导热塑料的应用

本文介绍了采用高性绝缘导热塑料tpp7130设计用于A60LED球泡灯杯的实例,并开模注塑成型,进行了实测,当LED灯板上功率为7w时,灯板上LED焊脚的温度为63℃,8w时,

  https://www.alighting.cn/resource/2013/8/16/16341_81.htm2013/8/16 16:03:41

LED照明产品中,电源的涌浪电流与冲击电流有什么区别?

交换式开关电源供应器在输入电源送电的瞬间会出现一短暂(1/2~1电源周期,ex:60hz电源1/120~1/60秒)的大电流(依产品设计约为20~60A,请参考产品规格书),产

  https://www.alighting.cn/resource/20170228/148573.htm2017/2/28 13:45:03

LED显示屏的供电系统简介

LED显示屏的供电系统简要介绍。

  https://www.alighting.cn/resource/20080901/128952.htm2008/9/1 0:00:00

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