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本文系统研究了ni覆盖层厚度及退火温度对硅衬底GaN基led薄膜p型欧姆接触的影响，在不需二次退火的情况下获得了高性能的p型欧姆接触层。
https://www.alighting.cn/resource/2013/9/3/175434_16.htm2013/9/3 17:54:34
在si衬底GaN 基蓝光led 芯片上生长了一层sion 钝化膜，使器件的光输出功率提高12%且有效降低了器件在老化过程中的光衰。
https://www.alighting.cn/resource/20141010/124221.htm2014/10/10 14:53:30
2018年2月23日，松下宣布研发出新型mis结构的si基GaN功率晶体管，可以连续稳定的工作，阈值电压不会发生变化。这项技术有望进一步增加GaN功率晶体管的工作速度，可以进一
https://www.alighting.cn/pingce/20180227/155307.htm2018/2/27 10:02:54
材料供应商atmi公司已将其GaN业务以1025万美元的价格出售给cree公司。
https://www.alighting.cn/news/20051212/116460.htm2005/12/12 0:00:00
本文就“GaN材料的特性与应用，GaN是什么？”做了简要的分析概述，以飨读者；
https://www.alighting.cn/resource/20101210/128138.htm2010/12/10 13:45:00
2007年10月5日，aixtron ag和crystalq bv已呈献一6英寸（150mm）c面蓝宝石上GaN晶片的最初测试结果。目前的晶片测试报告显示出6英寸晶片卓越的颜色及
https://www.alighting.cn/resource/20071011/128540.htm2007/10/11 0:00:00
界上第一只GaN基蓝色led问世以来，led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基led均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
位较好的符合，表明了在多量子阱发光二极管中由于inn和GaN相分离而形成的富in类量子点结构，主导着inGaN基发光二极管发光波长，体现了inGaN基发光二极管量子点发光的本质。同
https://www.alighting.cn/resource/2009911/V936.htm2009/9/11 17:27:36
台led厂今年前3季有多家见到转型成效，在非蓝光应用比重拉升之下，今年转盈的中小型led厂增多，展望2018年，营运重点仍在拉开与陆资厂的差距，扩大利基型产品战线;红外线led、
https://www.alighting.cn/news/20171218/154414.htm2017/12/18 10:10:36
发副总裁孙钱博士以《硅衬底GaN基高效led的最新进展》为主题，作了精彩分
https://www.alighting.cn/news/20150610/130039.htm2015/6/10 13:37:30
