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用发展,已成为各家业者相继寻求解决的议题,而led散热 基板的选择亦随着led之线路设计、尺寸、发光效 率…等条件的不同有设计上的差
https://www.alighting.cn/resource/20101129/128183.htm2010/11/29 16:30:33
采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波计算方法,系统研究了不同应力作用下GaN的电子结构和光学性质,对比分析了外压调制对GaN的能带结构、态密度和光学性质变化的影响。
https://www.alighting.cn/resource/20150302/123550.htm2015/3/2 11:45:19
本文研究了两组不同晶体质量的GaN外延片在koh溶液中腐蚀后的表面形貌。实验发现腐蚀后出现了六角腐蚀坑,腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明GaN外延生长过程中位错密度是逐渐降
https://www.alighting.cn/2013/1/17 15:18:08
研究了不同能量的电子束辐照对GaN基发光二极管(light emitting diode,led)发光性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射,对GaN基led外延片进
https://www.alighting.cn/2012/9/18 19:09:14
赤崎和天野研究室于1992年在未使用inGaN单晶的情况下,制作出了比以往的pn结型更亮的蓝色led。是在p型alGaN和n型alGaN之间夹住掺杂了zn和si的GaN层双异质结
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124149.htm2014/10/29 15:18:13
报道了一种可靠稳定且低接触电阻的n型GaN欧姆接触。首先在掺硅的n型GaN(3×1018cm-3)蒸镀ti(30nm)/al(500nm),然后在氮气环境530℃合金化3mi
https://www.alighting.cn/resource/20130924/125296.htm2013/9/24 13:44:54
利用硅压阻力学芯片传感器作为原位监测的载体,研究了直接粘贴芯片的封装方式中,芯片在基板上的不同位置对于封装后残余应力的影响以及在热处理过程中残余应力的变化,发现粘贴在基板靠近
https://www.alighting.cn/resource/20130826/125380.htm2013/8/26 14:04:58
氢化物气相外延(hvpe)是制备氮化镓(GaN)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了GaN体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127162.htm2011/9/13 9:04:57
发光二极管(led)低的外量子效率严重制约了led的发展,本文主要介绍了提高GaN基led外量子效率途径的最新进展,包括芯片非极性面/半极性面生长技术,分布布拉格反射层(db
https://www.alighting.cn/resource/2009914/V937.htm2009/9/14 15:26:35
为了简化分析过程,进一步理清涉及到led芯粒本身的失效机理,本文对所取样的led芯粒仅进行简单的金胶固定。本文从外延角度出发,通过研究不同波段的GaN led在加速电流应力条件下
https://www.alighting.cn/resource/20150320/123443.htm2015/3/20 11:09:20