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利用外延片焊接技术,把si(111)衬底上生长的GaN蓝光led外延材料压焊到新的si衬底上.在去除原si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构GaN蓝光led.与外延材料未转
https://www.alighting.cn/resource/20130422/125688.htm2013/4/22 13:10:12
led芯片厂扩产大电流驱动led芯片。
https://www.alighting.cn/resource/20100318/129022.htm2010/3/18 0:00:00
led(light emitting diode，发光二极管)芯片是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。led的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一
https://www.alighting.cn/resource/20140415/124673.htm2014/4/15 11:22:37
采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的GaNmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(pl)研究了转移的GaN薄
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12
led芯片在半导体产业中占据着重要的地位，可是芯片知识，您又知道多少？小编本次收集了部分资料整理在一起，希望能与大家一起讨论讨论，共同进步！
https://www.alighting.cn/2014/3/28 17:37:32
简述led芯片的制作全过程主要包括的13个步骤。
https://www.alighting.cn/resource/2011/12/30/135356_65.htm2011/12/30 13:53:56
应用多项高端纳米技术改善mocvd生长在蓝宝石衬底上GaN的晶体特性和光学性能，并因此从根本上大幅提高相关高亮led的发光效率。
https://www.alighting.cn/2012/12/5 18:18:30
本文主要利用x射线衍射和透射电子显微镜技术对蓝宝石衬底上生长的GaN基led外延片的微结构进行了研究,主要研究工作为: 1.采用x射线衍射绝对测量法精确测量了GaN薄膜的晶格参
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127130.htm2011/9/16 15:30:52
测试结果表明获得的大面积金凸点连接的剪切力最高达53.93 g/bump，焊接后的GaN 基绿光led 在350 ma 工作电流下正向电压为3.0 v。将热超声倒装焊接技术用于制
https://www.alighting.cn/resource/20150302/123551.htm2015/3/2 11:34:51
详细介绍led历史，led芯片的原理，led芯片的分类，欢迎下载学习!
https://www.alighting.cn/resource/2011/9/2/17362_06.htm2011/9/2 17:36:02
