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led材料发展时间表

1991年,日亚公司研制成功同质结gan基蓝光led,峰值波长430nm,光谱半宽55rim,其光输出功率为当时市场上sicled的10倍,外量子效率约为0.18%。  1995

  http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/2/4/263597.html2012/2/4 14:50:22

如何提高led发光效率的性价比

【led幕墙屏】近几年来led技术发展迅速,衬底、外延及芯片核心技术取得了突破性进展。pss衬底、非极性、半极性衬底、芯片新结构、外延新技术等,均为提高led【led窗帘屏】内量

  http://blog.alighting.cn/188279/archive/2013/8/7/322937.html2013/8/7 9:30:39

led封装技术及荧光粉在封装中的应用

等。 3. 荧光粉在封装中的应用 封装之前除了需确定封装结构外,还需选择好芯片和荧光粉。对于高色温的冷白光led通常选用InGaN芯片配合yag:ce黄色荧光粉,获得低色温的暖

  http://blog.alighting.cn/sunfor/archive/2010/7/27/58017.html2010/7/27 11:36:00

标准和白光led的基础知识与驱动

延材料是氮化铟镓(InGaN)。发射波长的范围为450nm至 470nm,氮化铟镓led可以产生五倍于氮化镓led的光强。白光led真正发射白光的led是不存在的。这样的器件非常难

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229889.html2011/7/17 23:00:00

高亮度led发光效益技术

产技术是InGaN,但此技术仍有一些瓶颈需要克服,目前掌握前瞻技术的业者纷纷针对这些瓶颈提出新的解决方案,希望能进一步拓展hb led的市场。这些瓶颈中以静电释

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232808.html2011/8/19 0:16:00

用于lcd背光的led技术进步

为ingaaip)。通过这两种主要技术可以实现不同的颜色。施加1.8v-2.3v左右的正向电压,alingap可发出从绿色(570nm)到血红色(632nm)的光线。InGaN用来发出

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233133.html2011/8/20 0:08:00

用于lcd背光的led技术进步

为ingaaip)。通过这两种主要技术可以实现不同的颜色。施加1.8v-2.3v左右的正向电压,alingap可发出从绿色(570nm)到血红色(632nm)的光线。InGaN用来发出

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258494.html2011/12/19 10:56:26

高亮度led发光效益技术

产技术是InGaN,但此技术仍有一些瓶颈需要克服,目前掌握前瞻技术的业者纷纷针对这些瓶颈提出新的解决方案,希望能进一步拓展hb led的市场。这些瓶颈中以静电释

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258579.html2011/12/19 11:01:19

高亮度led发光效益技术

产技术是InGaN,但此技术仍有一些瓶颈需要克服,目前掌握前瞻技术的业者纷纷针对这些瓶颈提出新的解决方案,希望能进一步拓展hb led的市场。这些瓶颈中以静电释

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261488.html2012/1/8 21:45:48

用于lcd背光的led技术进步

为ingaaip)。通过这两种主要技术可以实现不同的颜色。施加1.8v-2.3v左右的正向电压,alingap可发出从绿色(570nm)到血红色(632nm)的光线。InGaN用来发出

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261571.html2012/1/8 21:51:11

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