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创新性光源-InGaN基led芯片技术研究与展望

附件为《创新性光源-InGaN基led芯片技术研究与展望》pdf,欢迎大家下载学习!

  https://www.alighting.cn/resource/20150615/130157.htm2015/6/15 16:53:41

量子点混合led超乎想象 新一代照明系统指日可待

目前,日本广岛大学的科研人员已经将硅基量子点用于研发一种新型的发光二极管,并承诺这将是照明系统史上一场新的革命。量子点led作为下一代的led已经吸引了大量的注意。尽管它的成功应

  https://www.alighting.cn/news/20150611/130076.htm2015/6/11 9:43:38

晶科电子:以品质着眼未来 以技术站稳潮流

在如今这个技术更迭迅猛的时代里,新技术ltps、lgzo、量子点等纷纷闪亮登场,备受热捧,厂家不断加大对新技术的投资力度,但依然难解决“成本高”的问题,对于新技术的前景也是众说纷

  https://www.alighting.cn/news/20150427/84903.htm2015/4/27 11:13:13

肖国伟:新r粉封装与cob封装技术带来更好的高色域表现

led芯片结构的改变和量子点技术的引入,将为电视机背光源提供更好的选择。而led背光源在高亮度、高色域上的表现,将是未来1-2年发展的趋势和方向。

  https://www.alighting.cn/news/20150422/84794.htm2015/4/22 11:06:26

qd vision推出2毫米彩色lcd显示屏光学组件扩展产品线

qd vision推出2毫米宽量子点光学组件,将业界最佳色彩方案带入超薄显示领域,可应用于lcd显示器。

  https://www.alighting.cn/pingce/20150416/84626.htm2015/4/16 13:22:28

欧司朗蓝光 led 芯片效率实现质的飞跃

欧司朗光电半导体的蓝光高电流芯片成功跻身于全球最低正向电压行列。由此,芯片效率最高可提升八个百分点。优化版氮化铟镓 (InGaN) 芯片搭载 ux:3 芯片技术,是蓝/白光 le

  https://www.alighting.cn/news/20150325/83777.htm2015/3/25 10:26:24

in组分对InGaNgan蓝光led的发光性质的影响

目前普遍认为蓝移是in组分分布不均匀造成的局域激子发光的主要原因,然而实验发现高in组分没有出现峰位蓝移,产生这一异常现象的原因主要是因为高in组分造成的势起伏较大,在80k~16

  https://www.alighting.cn/2015/3/13 10:02:28

InGaN基白光led光谱特征和结温相关性研究

结果表明:InGaN基白光led蓝光和荧光的峰值波长与结温没有明显的线性关系;蓝光的光谱线宽以及荧光和蓝光峰值强度的比值与结温具有良好的线性关系。

  https://www.alighting.cn/2015/3/13 9:52:54

gan基功率led电应力老化早期的退化特性

InGaN/gan多量子阱蓝光和绿光led进行了室温900ma电流下的电应力老化,发现蓝光led老化到24小时隧穿电流最小,绿光led到6小时隧穿电流最小。

  https://www.alighting.cn/resource/20150228/123557.htm2015/2/28 15:16:34

突破瓶颈 台东大新技术制蓝光led

台东大学应用科学系副教授黄俊元和远东科技大学合作,突破技术瓶颈,以胶体量子点硫化镉、硫化锌,制作出电激发式蓝光发光二极体。

  https://www.alighting.cn/news/20150227/97152.htm2015/2/27 9:53:08

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