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摘要:用同种ｇａｎ基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基LED芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

摘要:用同种ｇａｎ基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基LED芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

摘要:用同种ｇａｎ基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基LED芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

摘要:用同种ｇａｎ基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基LED芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

摘要:用同种ｇａｎ基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基LED芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

摘要:用同种ｇａｎ基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基LED芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

者愈强　　受益于政府补贴，中国LED器件(含LED芯片)产业在2011年的全球市场中占了6%的份额，比2010年的2%翻了3倍。　　三安光电2011年的净利润同比2010年翻了一

http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/6/24/279837.html2012/6/24 21:16:14

发，目前已通过科技部项目验收。　　1、si衬底LED芯片制造　　1.1 技术路线　　在si衬底上生长gan,制作LED蓝光芯片。　　工艺流程：在si衬底上生长al

http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00

做家庭照明灯、射灯、水底灯、洗墙灯、路灯、隧道灯、汽车工作灯等。功率LED光源是低电压、大电流驱动的器件，其发光的强度由流过LED的电流大小决定，电流过强会引起LED光的衰减，电流

http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2011/4/12/165043.html2011/4/12 16:34:00

产业的不断渗透下，LED芯片的市场需求量也是不持续上扬。今年7月份，华灿光电和聚建光电先后发布了2014年上半年业绩报告，前者净利润预增185%-215%，后者净利润预增247%

http://blog.alighting.cn/2803984315/archive/2014/8/19/356360.html2014/8/19 15:53:34