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近日， 凌力尔特公司 (liNear techNology corporatioN) 推出高端、高频率 N 沟道 mosfet 栅极驱动器 ltc4440a-5，该器件能以高
https://www.alighting.cn/pingce/20131012/121862.htm2013/10/12 12:05:58
极(p极，N极)，接下来就用激光切割外延片，然后百分百分捡，根据不同的电压，波长，亮度进行全自动化分检，也就是形成led晶片(方
https://www.alighting.cn/2013/10/11 11:32:22
所谓cob封装(chipoNboard)，是指led芯片直接在基板上进行绑定封装。也就是指将N颗led芯片绑定在金属基板或陶瓷基板上，成为一个新的led光源模组。
https://www.alighting.cn/2013/10/10 15:15:00
这是《2007汽车和挂车灯光和外部照明信号装置安装规定》标准，本标准规定了汽车及挂车的外部照明和光信号装置安装的技术要求、试验方法和检验规则等，适用于m、N和o类汽车及挂车等。欢
https://www.alighting.cn/resource/2013/10/10/94938_55.htm2013/10/10 9:49:38
近日，关于sic功率半导体的国际学会“icscrm 2013”于日本宫崎县举行。多家sic基板厂商展示了直径为6英寸(150mm)的晶圆。这种晶圆是现行3～4英寸(75mm～100
https://www.alighting.cn/news/20131009/111759.htm2013/10/9 16:50:25
在si衬底gaN基垂直结构led的N极性N型面上,利用电子束蒸发的方法制作了ti/al电极,通过了i-v曲线研究了有无alN缓冲层对这种芯片欧姆接触的影响。
https://www.alighting.cn/2013/9/30 11:37:32
报道了一种可靠稳定且低接触电阻的N型gaN欧姆接触。首先在掺硅的N型gaN(3×1018cm-3)蒸镀ti(30Nm)/al(500Nm),然后在氮气环境530℃合金化3mi
https://www.alighting.cn/resource/20130924/125296.htm2013/9/24 13:44:54
发光二极管是由ⅲ-ⅳ族化合物，如gaas(砷化镓)、gap(磷化镓)、gaasp(磷砷化镓)等半导体制成的，其核心是pN结。因此它具有一般p- N结的i-N特性，即正向导通，反
https://www.alighting.cn/resource/20130922/125301.htm2013/9/22 16:24:22
本文通过在硅衬底发光二极管(led)薄膜p-gaN表面蒸发不同厚度的Ni覆盖层,将其在N2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面Ni覆盖
https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01
天我们是后者”。在这里我想说，不要拿人类说事，好像众人皆醉你独醒似的，你娃就是不好好学国粹，看看《麻衣相术》吧！这也是先人通过N多实践总结出来的科学，从面相上看那就不是一个能够创造真
http://blog.alighting.cn/190773/archive/2013/8/24/324512.html2013/8/24 9:46:06
