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及佛山市香港科技大学led-fpd工程技术研究开发中心主任；曾经外调担任过香港纳米及先进材料研发院的技术总监。研究领域覆盖晶圆级和三维微系统封装、硅通孔和高密度互连、led封装和半导
http://blog.alighting.cn/lishiwei/archive/2014/11/28/362085.html2014/11/28 16:56:55
在工艺上加速进步的步伐会引入新的影响良品率的缺陷种类，其中一些类型的缺陷并不能被光学检测手段所检测到。这些缺陷被称之为“非可见性缺陷(non visual defects，nvd)
https://www.alighting.cn/resource/20141104/124129.htm2014/11/4 12:37:24
在晶圆熔融键合技术上的最新进展已显示了它在提升键合对准精度上的能力过去的30年中，尺寸缩小和摩尔定律己成为硅平面工艺领域推动成本降低的主要动力。在这期间，主要的技术进步都
https://www.alighting.cn/resource/20141104/124133.htm2014/11/4 10:35:50
本文介绍了关于新材料器件进展与gan器件封装技术研究，有兴趣的可以下载附件的pdf学习噢！~
https://www.alighting.cn/resource/20141103/124134.htm2014/11/3 13:47:38
2014年10月28日，科锐(nasdaq: cree)宣布继续扩展其屡获殊荣的SiC 1.2kv六单元(six-pack)功率模块系列，推出新型20a全SiC模块，作为5-1
https://www.alighting.cn/news/20141028/110520.htm2014/10/28 9:27:52
科锐在继今年5月份推出全SiC 1.2kv半桥式功率模块之后，宣布推出业界首款全SiC 1.7kv功率模块，采用业界标准62mm封装，继续保持在SiC功率器件技术领域的领先地
https://www.alighting.cn/pingce/20141013/121580.htm2014/10/13 9:55:57
⑤algainn的碳化硅(SiC)背面光的方法。美国cree公司是世界上唯一的碳化硅基板的algainn超高亮度led制造商，多年来生产的algainn / SiCa芯片的架构不断完善和增加亮
http://blog.alighting.cn/90987/archive/2014/10/8/358692.html2014/10/8 16:09:48
科锐（nasdaq: cree）宣布c2m系列1200v / 80m? SiC mosfet被日本sanix公司采用，应用在其新型9.9kw三相太阳能逆变器的设计之中，以用于日
https://www.alighting.cn/news/20140929/110574.htm2014/9/29 9:54:28
不畏led产业面临景气调整，隆达启动有史以来最大规模扩产行动，由于cree的中低功率订单，加上长期led照明需求，隆达明年上半年以前、将针对led磊晶圆与晶片进行扩产计划，产能增
https://www.alighting.cn/news/2014917/n704465673.htm2014/9/17 10:02:27
隆达明年上半年以前、将针对led磊晶圆与晶片进行扩产计划，产能增幅上看40～50％，2014年资本支出大幅调高50％达30亿元，已逾半个股本。
https://www.alighting.cn/news/20140917/110590.htm2014/9/17 9:53:00
